M24C04-RDS6G

M24C04-RDS6G是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的4Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）技术构建，其核心存储单元阵列组织为512×8位结构，即512字节。这种非易失性存储架构确保在断电后数据能够长期可靠保存，无需额外的电池备份支持，为系统提供了关键参数的存储解决方案。

该芯片的功能设计围绕高可靠性和易用性展开。其宽电压工作范围（1.8V至5.5V）使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种数字平台，极大地增强了设计的灵活性。通过标准的IC两线制串行接口进行通信，仅需时钟（SCL）和数据（SDA）两根信号线即可完成所有读写操作，有效节省了微控制器的I/O资源和PCB布线空间。接口支持高达400kHz的时钟频率，配合约900ns的快速访问时间，能够满足多数中低速应用对数据交换效率的要求。在数据写入方面，芯片支持字节写入和页写入模式，典型的字或页写入周期时间为5ms，并内置了写保护机制和应答查询功能，确保数据操作的完整性与安全性。

在电气特性与物理规格上，M24C04-RDS6G展现了良好的环境适应性。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准，适用于各种苛刻的工业与汽车电子环境。芯片采用8引脚TSSOP表面贴装封装，封装宽度为4.40mm，具有紧凑的占板面积，非常适合空间受限的现代电子设备。用户可以通过正规的ST代理渠道获取该产品的技术支持和供应服务。尽管该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的验证历史使其在存量项目和维护周期长的应用中仍具参考价值。

凭借其稳定的性能、简单的接口和宽泛的电压兼容性，M24C04-RDS6G典型应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的各类电子系统中。常见的应用场景包括工业控制模块、智能传感器、消费电子产品、通信模块以及汽车电子子系统等，在这些领域中，它作为可靠的“数据记忆单元”，保障了设备上电后状态的快速恢复与持续运行。

• 型号:M24C04-RDS6G
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:4Kb
• 存储器组织:512 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24C04-RDS6G是ST意法半导体生产的一款4Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口，时钟频率最高可达400kHz，并提供1.8V至5.5V的宽电压供电范围，能够灵活适配多种逻辑电平的系统。

其存储结构为512×8位，具备非易失特性，数据可长期保存。芯片支持字节和页写入操作，典型写入时间为5ms，访问时间为900ns。产品采用8-TSSOP表面贴装封装，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于工业级应用环境。