M24C04-WDW6T

M24C04-WDW6T是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于IC串行接口的4Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术制造，其核心存储单元阵列组织为512字节×8位的结构，每个字节均可独立进行字节编程或页写入操作，提供了灵活的数据管理能力。芯片内部集成了高压发生器，使得在单电源电压（2.5V至5.5V）下即可完成所有编程和擦除操作，无需外部提供高压，简化了系统设计。

该芯片的功能特性围绕其非易失性、高可靠性和易用性展开。它支持标准的IC两线串行接口，时钟频率最高可达400kHz，实现了与微控制器或主处理器的高速、简洁连接。宽电压供电范围（2.5V~5.5V）使其能够兼容从3.3V到5V的多种主流逻辑电平系统，增强了设计的通用性。在数据保护方面，芯片提供了可编程的写保护功能，通过硬件写保护引脚（WP）和软件写保护指令，可以有效防止存储数据的意外篡改或丢失。其长达100万次的擦写周期和超过40年的数据保存期限，确保了在频繁更新数据的应用场景下依然能保持数据的长期完整与可靠。

在接口与电气参数上，M24C04-WDW6T表现出色。其访问时间仅为900ns，页写入周期典型值为5ms，支持高达16字节的页写模式，显著提升了批量数据写入的效率。芯片的工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C，使其能够适应严苛的环境条件。该器件采用8引脚TSSOP表面贴装封装，占板面积小，适合高密度PCB布局。对于需要稳定供应的客户，可以通过正规的ST代理渠道获取产品信息与技术支持。

凭借其稳定的性能和紧凑的封装，M24C04-WDW6T广泛应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的各类电子系统中。典型应用场景包括消费电子产品（如智能家电、机顶盒）、工业控制（如PLC模块、传感器模块）、汽车电子（如车身控制模块、娱乐系统）以及通信设备等。它为设计工程师提供了一种经济高效、占用空间极小的非易失性存储解决方案。

• 型号:M24C04-WDW6T
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:4Kb
• 存储器组织:512 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24C04-WDW6T是ST意法半导体生产的一款4Kbit串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口，时钟频率最高400kHz，支持2.5V至5.5V的宽电压供电，兼容性强。其存储结构为512×8位，支持字节和页写入模式，页写周期典型值为5ms。

该芯片具备工业级工作温度范围（-40°C至85°C），采用8-TSSOP表面贴装封装，体积小巧。其核心特性包括高达100万次的擦写周期、超过40年的数据保存能力以及硬件/软件写保护功能，为系统参数、配置数据等关键信息提供了高可靠性的非易失存储解决方案。