M24C08-FDW6TP

M24C08-FDW6TP是一款由ST意法半导体推出的8Kb串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术构建其非易失性存储单元阵列，其核心架构为1K x 8位的组织形式，确保了数据的稳定存储与可靠读取。芯片内部集成了高压发生器，使得在单电源供电条件下即可完成擦写操作，无需外部提供编程电压，简化了系统设计。

该芯片通过标准的IC两线制串行接口进行通信，支持高达400kHz的快速模式时钟频率，实现了高效的数据传输。其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台。在数据写入方面，它支持字节写入和页写入（最大16字节）两种模式，典型的页写入周期为5ms，而读取访问时间仅为900ns，在需要频繁读写配置参数或记录运行数据的应用中表现出色。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，并采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装，适合在紧凑的PCB布局中使用。

在功能实现上，该EEPROM内置了写保护机制，可通过硬件引脚控制，防止数据被意外篡改。同时，其具备超过400万次的擦写周期和长达40年的数据保存期限，保证了在产品的整个生命周期内关键信息的完整性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

凭借其低功耗、高可靠性及易于集成的特点，M24C08-FDW6TP广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子（车身控制模块、仪表盘）、智能电表、医疗设备及通信模块等领域，主要用于存储设备配置参数、校准数据、用户设置、事件日志或作为小容量数据缓冲，是系统中不可或缺的“记忆”单元。

• 型号:M24C08-FDW6TP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 想获取M24C08-FDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C08-FDW6TP是ST意法半导体生产的一款8Kb（1K x 8）容量的串行EEPROM存储器。该器件采用非易失性存储技术，通过标准IC接口进行通信，时钟频率最高可达400kHz，确保了高效的数据交换能力。

其核心优势在于宽广的1.7V至5.5V工作电压范围，使其能够灵活适应从低功耗到标准逻辑电平的各种系统环境。同时，它具备快速的900ns访问时间和5ms的典型写入时间，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度。芯片采用8-TSSOP表面贴装封装，适合空间受限的自动化贴装应用，为需要可靠、小容量非易失性存储的电子设计提供了理想的解决方案。