M24C08-RDS6TG

M24C08-RDS6TG是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅技术非易失性存储单元，其核心架构为1K x 8位的组织方式，确保每个字节均可独立进行擦写操作。内部集成了高压发生器与精确的时序控制逻辑，使得在单一电源电压下即可完成所有编程与擦除操作，无需外部提供高压，极大地简化了系统设计。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围与高速接口上。其供电电压支持从1.8V至5.5V，能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台。400kHz的快速模式IC接口提供了高效的数据传输通道，而典型值仅为900ns的访问时间则保证了快速的读取响应。在写入性能方面，其字节或页写入周期时间典型值为5ms，并内置了写保护机制与应答查询功能，允许主控制器在写入周期结束后立即获得确认，提升了软件流程的效率。

在接口与关键参数层面，M24C08-RDS6TG严格遵循标准的IC总线协议，通过双线制（串行数据线SDA和串行时钟线SCL）与主控器通信。其引脚配置兼容8引脚MSOP封装，采用表面贴装形式，适合高密度PCB布局。该器件具备出色的可靠性，数据保存期限典型值超过40年，每个存储单元可承受至少400万次的擦写循环。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C，确保了在严苛环境下的稳定数据存储能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取此型号及相关技术支持。

凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性的综合优势，M24C08-RDS6TG非常适用于需要存储配置参数、校准数据或用户信息的各类嵌入式系统。典型应用场景包括消费电子产品（如智能家电、机顶盒）、工业控制模块（如传感器节点、PLC）、通信设备以及汽车电子中的非关键数据存储。尽管其零件状态已标注为停产，但对于现有产品的维护、备件供应或特定长生命周期项目而言，它仍然是一个经过市场验证的稳定选择。

• 型号:M24C08-RDS6TG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-MSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 想获取M24C08-RDS6TG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C08-RDS6TG是STMicroelectronics生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器，采用IC接口，时钟频率最高可达400kHz。该器件以1K x 8位的结构组织数据，提供非易失性数据存储解决方案。

其核心优势在于宽广的1.8V至5.5V单电源工作电压范围，以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在不同供电环境和温度条件下的高度兼容性与可靠性。器件采用8-MSOP表面贴装封装，具有5ms的典型写周期时间和长达40年的数据保存能力。