M24C08-WMN6P

M24C08-WMN6P是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS EEPROM技术制造，其核心架构由一个1K x 8位的存储阵列、一个内置的页缓冲器以及完整的IC协议逻辑控制器构成。这种设计确保了在标准IC总线上的可靠通信，同时内部的升压电路使得在单电源电压下进行擦写操作成为可能，无需外部提供高电压，极大地简化了系统设计。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围（2.5V至5.5V）和高达400kHz的快速时钟频率上，这使其能够兼容从低功耗微控制器到标准5V系统的广泛平台。其页写能力支持一次写入多达16字节的数据，配合仅5ms的典型写周期时间，有效提升了数据存储效率。此外，器件具备100万次擦写周期和超过40年的数据保存期限，保证了在严苛应用环境下的长期数据可靠性。对于需要稳定供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

在接口与关键参数方面，M24C08-WMN6P严格遵循IC总线标准，通过SDA（串行数据）和SCL（串行时钟）两根线实现通信，并支持由三个地址引脚（A0, A1, A2）定义的8个不同器件地址，方便在同一总线上进行多器件扩展。其访问时间仅为900ns，确保了快速的读取响应。芯片采用8引脚SOIC封装，符合表面贴装工艺要求，工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，能够适应大多数电子设备的工作环境。

基于其非易失性、高可靠性、小尺寸和简单的两线接口，M24C08-WMN6P非常适合应用于需要存储配置参数、用户设定或运行日志的各类电子系统。典型应用场景包括消费电子产品（如智能电视、机顶盒）、工业控制设备（如PLC模块、传感器变送器）、汽车电子（如车身控制模块、仪表盘）以及通信模块等领域，是解决中小容量、频繁更新数据存储需求的经典解决方案。

• 型号:M24C08-WMN6P
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C08-WMN6P是STMicroelectronics生产的一款8Kb串行EEPROM存储器，采用IC接口，时钟频率可达400kHz。该器件提供1K x 8位的非易失性存储空间，支持宽电压供电（2.5V至5.5V），并具备页写功能，典型写周期时间为5ms，访问时间为900ns。

其设计兼顾了高性能与高可靠性，提供高达100万次的擦写周期和超过40年的数据保存能力。芯片采用8-SOIC表面贴装封装，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于对空间和可靠性有严格要求的工业及消费类应用，是存储设备参数、校准数据或用户设置的理想选择。