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M24C16-DRDW3TP/K的图片

M24C16-DRDW3TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24C16-DRDW3TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C16-DRDW3TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C16-DRDW3TP/K是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于IC串行接口的16Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅技术非易失性存储单元,其核心架构为2K x 8位的组织方式,确保数据在断电情况下能够长期可靠保存。其内部集成了地址寄存器、控制逻辑以及高压生成电路,使得在单电源电压下即可完成编程操作,简化了外围电路设计。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围与高可靠性上。它支持1.7V至5.5V的宽电源电压,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类应用平台。其1MHz的快速时钟频率450ns的快速访问时间,显著提升了数据读写效率。同时,器件支持字节写和页写(最大16字节)两种模式,页写功能可有效减少多字节连续写入时的总线开销,而典型的字或页写入周期时间为4ms。

在接口与关键参数方面,该器件严格遵循IC总线协议,通过双线(串行时钟SCL和串行数据SDA)实现通信,极大节省了微控制器的I/O资源并简化了PCB布局。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,并通过了AEC-Q100标准认证,满足汽车电子应用的严苛环境要求。产品采用8引脚TSSOP表面贴装封装,适合高密度板卡设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理商进行采购与咨询。

凭借其高可靠性、宽温宽压特性以及小型化封装,M24C16-DRDW3TP/K非常适合于需要参数存储、配置信息保存或事件记录功能的领域。典型应用场景包括汽车电子系统中的车身控制模块、仪表盘、传感器数据记录,以及工业控制、消费电子、智能电表和医疗设备等对数据非易失性存储有严格要求的产品。

  • 型号:M24C16-DRDW3TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:16Kb
  • 存储器组织:2K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24C16-DRDW3TP/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C16-DRDW3TP/K是ST意法半导体生产的一款16Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,时钟频率高达1MHz,并支持1.7V至5.5V的宽电压供电范围,兼容性出色。

其核心优势在于高可靠性与宽工作温度范围。该芯片符合AEC-Q100汽车级标准,可在-40°C至125°C的环境温度下稳定工作,字节或页写入周期典型值为4ms。这些特性使其成为汽车电子、工业控制及各类需要可靠参数存储应用的理想选择。

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