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M24C32-WMN6TP的图片

M24C32-WMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C32-WMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C32-WMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C32-WMN6TP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)芯片。该器件采用成熟的浮栅技术非易失性存储单元架构,其核心是一个组织为4K x 8位(即32Kb总容量)的存储阵列。数据通过两线制IC串行接口进行访问,该接口支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和快速模式增强版(1MHz)三种通信速率,为系统设计提供了灵活的时序选择。芯片内部集成了地址寄存器、数据缓冲器和复杂的控制逻辑,确保读写操作的高度可靠性与时序准确性。

该EEPROM具备多项关键特性以满足严苛的工业与消费电子应用需求。其宽电压供电范围(2.5V至5.5V)使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种电源环境。高达1MHz的时钟频率显著提升了数据传输效率,而典型的页写周期时间仅为5ms,有助于降低系统整体功耗并加快配置更新速度。器件支持页写操作,单次最多可连续写入32字节数据,优化了批量数据存储的效率。其访问时间为450ns,确保了主控制器能够快速读取存储的配置参数或运行数据。所有存储单元均保证至少400万次的擦写周期和长达200年的数据保存期限,体现了极高的耐用性与数据保持能力。

在接口与参数方面,该芯片严格遵循IC总线协议,通过串行数据线(SDA)和串行时钟线(SCL)与主控制器通信。其8位地址空间可通过硬件地址引脚(A0, A1, A2)进行配置,允许在同一总线上挂载最多8个同型号器件,方便系统容量扩展。芯片采用8引脚SOIC封装,符合表面贴装(SMT)工艺要求,适合自动化生产。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准,保证了在恶劣环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其可靠性、灵活性和宽泛的工作条件,M24C32-WMN6TP非常适合用于需要频繁更新或永久保存参数数据的场景。典型应用包括智能电表、工业传感器、医疗设备中的校准数据与事件日志存储,汽车电子中的座椅、后视镜位置记忆,以及消费电子产品如电视机、机顶盒、打印机的配置信息保存。其小尺寸封装和低功耗特性也使其成为便携式设备、物联网节点和可穿戴设备的理想选择,用于存储设备标识、用户设置及运行状态信息。

  • 型号:M24C32-WMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:32Kb
  • 存储器组织:4K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C32-WMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C32-WMN6TP是意法半导体推出的一款32Kb容量串行EEPROM存储器,采用IC接口,最高通信速率可达1MHz。该器件提供4K x 8位的存储组织方式,支持宽电压供电(2.5V至5.5V),并具备快速的页写入能力(典型页写周期5ms),适用于对数据更新速度和功耗有要求的系统。

其设计兼顾了高性能与高可靠性,访问时间仅为450ns,且保证至少400万次擦写周期及200年的数据保存期限。芯片采用8-SOIC表面贴装封装,工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业标准,能够满足汽车电子、工业控制、消费电子及物联网设备等应用领域对非易失性参数存储的严苛需求。

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