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M24C64-DFMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C64-DFMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C64-DFMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C64-DFMN6TP是ST意法半导体推出的一款采用IC串行接口的64Kb EEPROM存储器芯片。该器件基于成熟的EEPROM技术构建,其核心存储阵列组织为8K x 8位结构,提供了可靠的非易失性数据存储解决方案。其内部集成了必要的地址解码器、控制逻辑和高电压生成电路,确保了在单芯片内完成完整的读写、擦除操作,简化了外围电路设计。

该芯片具备多项宽电压工作范围(1.7V至5.5V)的特性,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种平台,极大地增强了设计的灵活性。其时钟频率最高可达1MHz,配合快速的访问时间,能够满足多数应用对数据交换速率的要求。在数据可靠性方面,器件提供了可编程的写保护功能,并支持字节写和页写(最高64字节)两种模式,页写模式能有效提升连续数据的写入效率。其数据保存期限典型值超过40年,每个存储单元可承受至少400万次的写循环,保证了在频繁更新数据场景下的长期耐用性。

在接口与电气参数层面,M24C64-DFMN6TP严格遵循IC总线协议,通过两条串行线(SDA和SCL)与主机通信,支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和快速模式Plus(1MHz)。其典型字/页写入周期时间为5ms,访问时间为450ns。器件采用8引脚SOIC封装,符合表面贴装工艺要求,工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,适合在严苛的环境下稳定运行。用户可以通过ST代理商获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高可靠性、低功耗和易于集成的特点,该芯片广泛应用于需要参数存储、配置信息保存或事件记录功能的领域。典型应用场景包括智能电表、工业控制系统、汽车电子(如车身控制模块)、医疗设备、通信模块以及各类消费电子产品。其小巧的封装和宽泛的电压适应性,使其成为空间受限或电池供电便携式设备的理想选择。

  • 型号:M24C64-DFMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:64Kb
  • 存储器组织:8K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C64-DFMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C64-DFMN6TP是ST意法半导体生产的一款64Kb串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,时钟频率最高支持1MHz,提供了高效的双线制通信方式。其核心架构为8K x 8位,具备非易失特性,确保断电后数据不丢失。

该芯片的关键优势在于其1.7V至5.5V的宽电压供电范围,使其能够适应从低功耗到标准逻辑电平的各种系统环境。同时,它提供工业级工作温度范围(-40°C至85°C)和表面贴装型8-SOIC封装,保证了在苛刻应用中的可靠性与易用性。其快速的访问时间与标准的写周期,平衡了性能与功耗,是参数存储和配置数据保存应用的稳健选择。

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