M24C64-DRMN8TP/K

M24C64-DRMN8TP/K是ST意法半导体推出的一款64Kb串行EEPROM存储器，采用先进的CMOS技术制造，其核心架构基于稳定的浮栅单元设计，确保了数据在掉电情况下的长期可靠保存。该器件内部集成了高压发生器，支持在较宽的单一电源电压范围内完成擦写操作，无需外部提供编程电压，简化了系统设计。其存储阵列组织为8K x 8位，通过高效的IC串行接口进行访问，该接口支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）以及高速模式（1MHz），为不同性能需求的系统提供了灵活的通信速率选择。

该芯片具备多项关键特性以满足严苛的应用环境。其工作电压范围1.8V至5.5V，使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的广泛平台。在数据写入方面，它支持字节写入和页写入模式，页缓冲区容量为32字节，有效提升了多字节连续写入的效率，典型的字节/页写入周期时间为4ms。为了保障数据完整性，器件内置了写保护功能，可通过硬件写保护引脚或软件写保护命令来实现。其访问时间仅为450ns，配合高速IC模式，能够满足对实时性有要求的应用场景。

在接口与电气参数层面，M24C64-DRMN8TP/K严格遵循IC总线协议，具有唯一的7位设备地址，支持在同一总线上挂接多个器件。其宽温工作范围（-40°C至105°C）以及符合AEC-Q100标准的汽车级认证，标志着它能够承受汽车电子、工业控制等环境中常见的温度波动与机械应力。器件采用表面贴装型的8引脚SOIC封装，体积紧凑，适合高密度PCB布局。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品以及批量采购服务。

凭借其非易失性、高可靠性、宽电压和宽温度范围等特性，该芯片非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或事件日志的领域。典型应用场景包括汽车电子中的车身控制模块、仪表盘、传感器数据记录，工业自动化中的PLC、智能仪表，以及消费电子中的智能家电、物联网设备等。其稳健的设计使其成为在恶劣环境下保证数据安全存储的理想选择。

• 型号:M24C64-DRMN8TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:64Kb
• 存储器组织:8K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C64-DRMN8TP/K是ST意法半导体生产的一款64Kb（8K x 8）串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口，支持高达1MHz的时钟频率，并提供1.8V至5.5V的宽电压供电范围，兼容性出色。其访问时间为450ns，字节或页写入周期为4ms，具备高效的数据读写性能。

作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品，该芯片可在-40°C至105°C的扩展工业温度范围内稳定工作，确保了在严苛环境下的高可靠性。它采用8-SOIC表面贴装封装，并提供卷带或剪切带包装选项，适用于汽车电子、工业控制及各类需要非易失性参数存储的嵌入式系统应用。