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M24C64-RDW6TP的图片

M24C64-RDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24C64-RDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C64-RDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C64-RDW6TP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于成熟EEPROM技术的非易失性存储器芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,其核心是一个由8192 x 8位存储单元构成的阵列,总容量为64Kb。内部集成了高压发生器,使得在单电源电压下即可完成擦写操作,无需外部提供编程电压,极大地简化了系统设计。其架构支持页写操作,允许在一次写周期内连续写入多达32字节的数据,有效提升了数据批量存储的效率。

该芯片通过标准的IC(Inter-Integrated Circuit)两线串行接口与微控制器或主处理器通信,最高时钟频率可达1MHz,实现了高速数据传输。其工作电压范围宽达1.8V至5.5V,使其能够无缝兼容从低功耗物联网设备到传统工业控制系统的各类逻辑电平,展现了出色的设计灵活性。在数据可靠性方面,该器件提供了超过100万次的擦写周期和长达40年的数据保持能力,确保了关键配置参数或历史记录的长久、稳定存储。对于需要稳定供应链支持的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

在电气参数上,M24C64-RDW6TP表现出色,其典型的字或页写周期时间为5ms,最大访问时间仅为450ns,保证了系统响应的实时性。芯片采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装,适合高密度PCB板设计。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,能够适应苛刻的环境条件。内部写保护机制和可选的软件写保护功能,为防止意外数据修改提供了双重保障。

凭借其高可靠性、宽电压兼容性和标准接口,M24C64-RDW6TP非常适合应用于需要存储设备参数、用户设置或运行日志的众多领域。典型应用场景包括智能电表、家用电器、汽车电子(如车身控制模块)、工业传感器节点、医疗设备以及各类消费电子产品。其稳定的性能和工业级的温度规格,使其成为工程师在设计中寻求耐用、经济高效的非易失存储解决方案时的可靠选择。

  • 型号:M24C64-RDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:64Kb
  • 存储器组织:8K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24C64-RDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C64-RDW6TP是ST意法半导体生产的一款64Kb容量的串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口,通信速率最高可达1MHz,并支持宽电压工作范围(1.8V至5.5V),兼容性强,设计灵活。

其核心特性包括高达100万次的擦写周期、40年的数据保持能力以及5ms的快速写周期时间。芯片采用8-TSSOP表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,满足工业级应用对可靠性和环境适应性的严苛要求,适用于需要可靠存储配置数据或事件记录的各类电子系统。

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