M24C64-WMN6P

M24C64-WMN6P是一款由ST意法半导体（STMicroelectronics）设计生产的高性能串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术构建其非易失性存储单元，核心架构为8K x 8位的组织方式，总存储容量达到64Kb。其内部集成了完整的IC总线接口控制器、地址寄存器、数据缓冲器以及高压生成电路，实现了在单一芯片内完成数据存储、寻址和读写控制的所有功能，确保了系统设计的简洁性和可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其高速、低功耗与高可靠性上。它支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）以及高速模式（1MHz）的IC总线时钟频率，为数据传输提供了灵活的速率选择。宽泛的2.5V至5.5V单电源供电范围使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到标准5V系统的各类应用环境。在数据保护方面，芯片内置了写保护功能，并具备高达100万次的擦写周期以及超过40年的数据保存期限，为关键配置参数的存储提供了坚实保障。其页写入模式允许一次性连续写入多达32字节的数据，配合仅5ms的典型字节/页写入周期，有效提升了批量数据存储的效率。

在接口与电气参数层面，M24C64-WMN6P严格遵循IC总线协议，通过串行数据线（SDA）和串行时钟线（SCL）与主控制器通信，仅需两个I/O引脚即可实现完整的存储控制，极大节省了系统资源。其访问时间低至450ns，确保了快速的读取响应。芯片采用8引脚SOIC封装，支持表面贴装工艺，工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，能够适应苛刻的环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

凭借上述特性，M24C64-WMN6P非常适合应用于需要可靠存储中小容量、频繁更新或断电保存数据的场景。典型应用包括消费电子产品中的用户设置存储、工业控制系统中的参数与校准数据记录、通信模块的设备标识与配置存储、汽车电子中的事件记录器，以及各类智能仪表和物联网终端设备。其高集成度、低引脚占用和优异的可靠性，使其成为众多嵌入式系统中非易失性存储解决方案的理想选择。

• 型号:M24C64-WMN6P
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:64Kb
• 存储器组织:8K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C64-WMN6P是ST意法半导体推出的一款64Kb容量串行EEPROM存储器。该芯片采用IC接口，最高支持1MHz通信速率，并提供2.5V至5.5V的宽电压工作范围，兼容性出色。

其核心优势在于高可靠性设计，支持高达100万次擦写循环，数据保存期限超过40年。芯片采用8-SOIC表面贴装封装，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于工业级应用环境。5ms的快速写入周期与页写入功能进一步提升了数据存储效率。