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M27C1001-12C6的图片

M27C1001-12C6

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC
原厂封装:封装:32-PLCC(11.35x13.89)
优势价格,M27C1001-12C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M27C1001-12C6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M27C1001-12C6是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的1Mb(128K x 8位)并行接口EPROM(可擦除可编程只读存储器)。该器件采用经典的浮栅MOSFET技术构建其存储单元阵列,通过紫外线照射擦除数据,并采用一次性编程(OTP)模式,确保数据在断电后永久性保留,属于非易失性存储器范畴。其内部架构基于成熟的并行寻址机制,通过地址线(A0-A16)和数据线(O0-O7)实现高速数据访问,并集成了必要的控制逻辑,如片选(/CE)和输出使能(/OE),以简化系统设计。

该芯片的核心功能特性体现在其120纳秒的快速访问时间,这使其能够满足许多对时序有严格要求的嵌入式系统的需求。它采用单一的5V供电(工作电压范围4.5V至5.5V),兼容标准的TTL电平,易于与主流微处理器和微控制器接口。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在工业级和扩展商业温度环境下的可靠运行。该器件采用32引脚PLCC(塑料J形引线芯片载体)表面贴装封装,具有良好的板级集成度和空间利用率。值得注意的是,该产品目前已处于停产状态,但在存量系统和特定维护场景中仍有应用价值,用户可通过授权的ST一级代理获取库存或替代方案咨询。

在接口与关键参数方面,M27C1001-12C6提供了完整的并行接口,支持全静态操作,无需外部时钟。其128K x 8位的组织结构使其能够直接存储程序代码或固定配置数据。除了120ns的标准访问时间版本,该系列可能提供其他速度等级的选项以满足不同性能需求。其编程电压通常高于读操作电压,需使用专用编程器完成数据写入。封装形式为32-LCC,适合自动化表面贴装生产流程。

这款EPROM芯片典型的应用场景包括早期的工业控制系统、通信设备、汽车电子模块以及各种需要固件或引导代码非易失存储的嵌入式设备。它常用于存储微控制器的启动程序、设备配置参数、字体库或固定的算法查找表。尽管随着Flash存储器的普及,EPROM在新设计中的应用已大幅减少,但M27C1001-12C6及其同类产品在系统升级、旧设备维护和特定高可靠性要求的历史项目中,依然扮演着重要的角色。

  • 型号:M27C1001-12C6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:32-PLCC(11.35x13.89)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EPROM
  • 技术:EPROM - OTP
  • 存储容量:1Mb
  • 存储器组织:128K x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:120 ns
  • 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-LCC(J 形引线)
  • 供应商器件封装:32-PLCC(11.35x13.89)
  • 想获取M27C1001-12C6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M27C1001-12C6是ST意法半导体生产的一款1Mb容量并行接口EPROM存储器。它采用128K x 8位的组织结构,基于一次性编程(OTP)的紫外线可擦除技术,确保数据的非易失性存储。

该器件核心性能指标包括120ns的快速访问时间,支持4.5V至5.5V单电源电压工作,并具备-40°C至85°C的宽工作温度范围,适用于严苛的工业环境。其采用32引脚PLCC表面贴装封装,便于集成到空间受限的电路板设计中。

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