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M74HC4316RM13TR的图片

M74HC4316RM13TR

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集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC SWITCH SPDT X 4 70OHM 16SO
原厂封装:封装:16-SO
优势价格,M74HC4316RM13TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M74HC4316RM13TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M74HC4316RM13TR是ST意法半导体推出的一款四路单刀双掷(SPDT)模拟开关集成电路,采用高速CMOS(HC)工艺制造,封装于16引脚的SOIC表面贴装封装中。该器件内部集成了四个独立的2:1多路复用器/解复用器通道,每个通道均能实现双向信号传输,其核心架构基于精密的MOSFET开关矩阵与低功耗CMOS控制逻辑。这种设计允许在单电源(2V至12V)或双电源(±1V至6V)的宽电压范围内工作,为系统设计提供了高度的灵活性,尤其适用于需要兼容不同电平逻辑或模拟信号的混合信号环境。

该芯片的功能特点突出体现在其高速与低导通电阻的平衡上。其典型导通电阻(Ron)最大值为70欧姆,并且通道间的导通电阻匹配度(ΔRon)控制在5欧姆以内,这对于需要多通道信号保持高一致性的应用至关重要,例如精密测量或多通道音频切换。开关速度方面,其开启与关闭时间(Ton/Toff)最大值分别为18ns和29ns,结合高达43MHz的-3dB带宽,使其能够胜任视频信号、中频数据等高频模拟或数字信号的快速路由与切换任务。此外,其关断漏电流(IS(off))极低,最大值仅为100nA,通道间串扰在1MHz时低至-50dB,这些特性共同保障了信号路径间的出色隔离度与低功耗性能。

在接口与关键电气参数层面,M74HC4316RM13TR提供了标准的CMOS兼容控制输入,简化了与微控制器或数字逻辑电路的连接。其极低的输入/输出电容(关断时典型值分别为1pF和5pF)进一步减少了信号负载与失真。宽广的工作温度范围(-55°C至125°C)使其能够适应工业、汽车乃至军工等严苛环境。尽管该产品目前已处于停产状态,但通过正规的ST代理渠道,客户仍可能获取库存或替代方案支持。

基于上述特性,该器件的典型应用场景广泛。它常被用于通信设备中的信号路由与选择、测试与测量仪器中的多路信号切换、音频/视频设备中的输入选择器,以及数据采集系统中传感器信号的多路复用。其能够在单/双电源下工作的能力,也使其成为电池供电便携设备或需要处理正负模拟信号(如运算放大器电路)系统的理想选择,有效实现了模拟信号路径的灵活、可靠与高效控制。

  • 型号:M74HC4316RM13TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
  • 描述:IC SWITCH SPDT X 4 70OHM 16SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关电路:SPDT
  • 多路复用器/解复用器电路:1:1
  • 电路数:4
  • 导通电阻(最大值):70 欧姆
  • 通道至通道匹配 (ΔRon):5 欧姆
  • 电压 -电源,单 (V+):2V ~ 12V
  • 电压 - 供电,双(V±):±1V ~ 6V
  • 开关时间(Ton, Toff)(最大值):18ns,29ns
  • -3db 带宽:43MHz
  • 电荷注入:-
  • 沟道电容 (CS(off),CD(off)):1pF,5pF
  • 电流 - 漏泄 (IS(off))(最大值):100nA
  • 串扰:-50dB @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SO
  • 想获取M74HC4316RM13TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M74HC4316RM13TR是ST意法半导体生产的一款四路、单刀双掷(SPDT)高速CMOS模拟开关/多路复用器。该器件集成了四个独立的2:1复用通道,支持双向模拟或数字信号传输,其核心优势在于高速性能、低导通电阻与出色的通道匹配性

它在单电源2V至12V或双电源±1V至6V的宽电压范围内工作,开关时间快至18ns(开启)/29ns(关闭),-3dB带宽达43MHz,适用于视频、音频及中频信号的快速切换。同时,其最大导通电阻为70欧姆,通道间匹配精度在5欧姆以内,并具备低至100nA的关断漏电流和-50dB@1MHz的串扰抑制能力,确保了信号的高保真度与低功耗。其工作温度覆盖-55°C至125°C,采用16-SOIC表面贴装封装。

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