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M74HCT373B1R的图片

M74HCT373B1R

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集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC D-TYPE TRANSP 1:8 20-DIP
原厂封装:封装:20-DIP
优势价格,M74HCT373B1R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M74HCT373B1R的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M74HCT373B1R是ST意法半导体推出的一款高速CMOS逻辑器件,属于经典的74HCT系列。该芯片采用成熟的CMOS工艺制造,集成了八个独立的D型透明锁存器,构成一个1:8的电路配置。其核心架构围绕数据锁存与三态总线接口功能设计,每个锁存单元包含一个数据输入(D)、一个锁存使能(LE)和一个输出使能(OE)控制端。当锁存使能信号为高电平时,输出端(Q)实时跟随数据输入的变化,呈现透明模式;当锁存使能变为低电平时,输出将锁存在该跳变沿时刻的输入数据值,并保持稳定直至下一个锁存使能高电平周期。这种设计在数据采集和保持场景中至关重要,确保了信号在特定时序下的完整性。

该器件的显著功能特点是其三态输出能力。通过输出使能(OE)引脚的控制,所有八个输出可以同时被置于高阻抗状态。这一特性使其能够直接连接到共享的数据总线,允许多个器件分时复用同一组总线而不会产生信号冲突,极大地简化了多芯片系统中的总线管理设计。其工作电压范围为4.5V至5.5V,完美兼容标准的5V TTL电平系统,同时得益于HCT(高速CMOS兼容TTL)技术,它能够直接与TTL逻辑电平接口,无需额外的电平转换电路,在混合逻辑电压系统中扮演着桥梁角色。其传播延迟时间典型值为19ns,提供了较高的操作速度,适合对时序有一定要求的中速数字系统。

在电气参数方面,M74HCT373B1R在输出高电平和低电平时均能提供6mA的驱动电流,具备良好的扇出能力,可以直接驱动多个负载或指示灯。其工作温度范围极宽,为-55°C至125°C,这使其能够适应严苛的工业与军用环境。芯片采用通孔安装形式的20引脚双列直插封装(20-DIP),封装宽度为300密耳(7.62mm),便于在原型开发或需要高可靠性的板卡上进行焊接和测试。对于需要稳定供货和技术支持的客户,通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品来源可靠的重要途径。

基于其强大的总线驱动和接口能力,M74HCT373B1R广泛应用于需要数据暂存、缓冲或总线隔离的各类数字系统中。典型应用场景包括微处理器或微控制器系统中的地址/数据锁存,例如在8080或8051系列MCU的扩展电路中,用于锁存复用总线上的地址信息。它也常见于数据采集系统的输入通道、显示驱动的数据锁存,以及任何需要将并行数据从高速总线暂存并稳定输出的场合。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有设备的维护、备件供应以及一些对特定封装和参数有严格继承性要求的设计中,它仍然是一个经典且可靠的选择。

  • 型号:M74HCT373B1R
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:20-DIP
  • 类目:集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
  • 描述:IC D-TYPE TRANSP 1:8 20-DIP
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 逻辑类型:D 型透明锁存器
  • 电路:1:8
  • 输出类型:三态
  • 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
  • 独立电路:1
  • 延迟时间 - 传播:19ns
  • 电流 - 输出高、低:6mA,6mA
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:20-DIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:20-DIP
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M74HCT373B1R是ST意法半导体生产的一款八路D型透明锁存器,采用20引脚DIP通孔封装。该器件属于74HCT系列,核心功能是在锁存使能信号控制下,实现八位并行数据的透明传输或锁存保持,其输出端具备三态控制功能,可直接接入共享数据总线,有效支持多主设备系统中的总线仲裁与分时复用。

其电气特性针对标准5V系统优化,工作电压范围为4.5V至5.5V,输入电平兼容TTL,输出可提供±6mA的驱动电流。器件具备19ns的典型传播延迟和-55°C至125°C的宽温工作范围,确保了其在工业控制、通信接口及数据缓冲等应用中的高速响应与高环境适应性。这些参数共同构成了其在经典数字逻辑设计中的可靠接口与缓冲解决方案。

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