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M93C66-WDW6TP的图片

M93C66-WDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M93C66-WDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M93C66-WDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M93C66-WDW6TP是ST意法半导体推出的一款基于成熟EEPROM技术的串行非易失性存储器芯片。该器件采用标准CMOS工艺制造,内部集成了高可靠性存储单元阵列、地址解码器、高压生成电路以及串行接口控制逻辑。其核心存储阵列组织灵活,可配置为512 x 8位或256 x 16位,为用户提供了适应不同数据总线宽度的选择。内部集成的电荷泵电路确保了在单电源供电下即可完成对存储单元的擦写操作,无需额外的高压电源,简化了系统设计。

该芯片通过高效的SPI(串行外设接口)与主控制器通信,最高时钟频率可达2MHz,实现了快速的数据读写。其工作电压范围宽达2.5V至5.5V,使其能够无缝兼容3.3V和5V逻辑系统,增强了设计的通用性。在数据可靠性方面,芯片提供了超过100万次的擦写周期以及长达40年的数据保持能力,并内置了写保护功能,可通过软件指令或硬件写保护引脚(当封装支持时)来防止数据被意外篡改。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关服务。

在电气接口与参数上,M93C66-WDW6TP表现出高度的稳健性。其典型的字节或页写入周期时间仅为5ms,支持页写入模式以提升多字节连续写入的效率。芯片采用8引脚TSSOP表面贴装封装,占板面积小,适合高密度PCB布局。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保了在苛刻环境下的稳定运行。这些特性使其对外部元器件的依赖降至最低,有助于降低整体BOM成本并提高系统可靠性。

基于其小尺寸、高可靠性和宽电压范围的特点,M93C66-WDW6TP非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或用户设置的各种电子系统中。典型应用场景包括工业控制模块、智能传感器、汽车电子子系统(如车身控制模块)、通信设备、消费类电子产品以及医疗仪器等。在这些领域中,它常被用于存储设备ID、生产校准数据、运行状态日志或用户偏好设置,是构建智能化、可配置嵌入式系统的关键元件之一。

  • 型号:M93C66-WDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:4Kb
  • 存储器组织:512 x 8,256 x 16
  • 存储器接口:Microwire
  • 时钟频率:2 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M93C66-WDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M93C66-WDW6TP是ST意法半导体生产的一款4Kbit串行EEPROM存储器。该器件采用SPI接口,最高支持2MHz的通信时钟,提供了高效的数据存取速度。其存储结构可灵活配置为512 x 8位或256 x 16位,并具备超过100万次的擦写周期及40年的数据保持能力,确保了数据的长期可靠存储。

芯片设计注重系统兼容性与鲁棒性,工作电压范围宽达2.5V至5.5V,可适应多种供电环境。其工业级工作温度范围(-40°C至85°C)和小尺寸8-TSSOP表面贴装封装,使其成为空间受限且环境要求严苛的嵌入式应用的理想选择,适用于存储关键的系统参数与配置信息。

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