M93C76-RMN3TP/K

作为一款符合AEC-Q100标准的汽车级串行EEPROM，M93C76-RMN3TP/K采用了经过验证的非易失性EEPROM技术，其核心架构围绕一个512 x 8位或256 x 16位的存储阵列构建，总容量为4Kb。该芯片通过高效的SPI（串行外设接口）与微控制器进行通信，其同步串行接口设计简化了系统布线，并支持高达2MHz的时钟频率，确保了在需要快速参数读写或状态记录的应用中拥有良好的数据吞吐能力。

该器件的一个突出特性是其宽电压工作范围（1.8V至5.5V），这使得它能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种逻辑电平，极大地增强了设计的灵活性和物料通用性。其写周期时间仅为5ms，无论是按字还是按页操作，都能实现相对高效的数据存储更新。对于需要在严苛环境下可靠运行的系统，其扩展的工作温度范围（-40°C至125°C）提供了坚实的保障，使其能够胜任发动机舱、车身控制模块等汽车电子应用的要求。用户可以通过授权的ST代理获取完整的技术支持和供应链服务。

在接口与电气参数方面，M93C76-RMN3TP/K采用标准的SPI模式0和3，通过芯片选择（CS）、串行时钟（SK）、数据输入（DI）和数据输出（DO）四线制实现全双工通信。其低功耗特性在待机模式下尤为显著，有助于延长电池供电设备的寿命。器件提供表面贴装型的8引脚SOIC封装，符合工业标准的尺寸，便于在空间受限的PCB板上进行布局。其内置的写保护功能和数据轮询机制，进一步提升了数据存储的可靠性和安全性。

凭借其高可靠性、宽温宽压特性以及SPI接口的易用性，该芯片非常适合一系列要求数据非易失性存储的应用场景。在汽车电子领域，它常用于存储车辆识别码（VIN）、里程数据、传感器校准参数或系统配置信息。此外，在工业控制、智能电表、医疗设备以及消费电子产品中，它也能可靠地保存关键的系统参数、用户设置或事件日志，是构建稳健嵌入式系统不可或缺的存储组件。

• 型号:M93C76-RMN3TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8-SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:512 x 8，256 x 16
• 存储器接口:Microwire
• 时钟频率:2 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M93C76-RMN3TP/K是ST意法半导体推出的一款4Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用SPI接口，支持高达2MHz的通信时钟频率，并具备1.8V至5.5V的宽工作电压范围，兼容性强。

作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品，其工作温度范围覆盖-40°C至125°C，确保了在恶劣环境下的高可靠性。其5ms的写周期时间和非易失性存储特性，使其成为需要可靠存储关键参数或配置数据的汽车电子、工业控制等应用的理想选择。