M93C76-WMN6T

M93C76-WMN6T是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款串行EEPROM存储器芯片，采用成熟的非易失性存储技术，确保数据在断电后仍能可靠保存。其核心架构基于1K x 8位或512 x 16位的存储阵列组织方式，为用户提供了灵活的字节或字操作模式选择。芯片内部集成了高压生成电路和智能写控制逻辑，使得在单电源电压下即可完成数据的擦写操作，无需外部提供编程电压，简化了系统设计。

该器件通过标准的四线制SPI（串行外设接口）与微控制器或主处理器通信，最高时钟频率可达2MHz，实现了快速的数据传输。其宽电压供电范围（2.5V至5.5V）使其能够无缝兼容3.3V和5V逻辑系统，增强了设计的通用性。在数据可靠性方面，芯片提供了页写和字节写功能，典型的字或页写入周期时间为5ms，并内置了写保护机制，通过软件指令或硬件写保护引脚（WP）可有效防止数据被意外篡改。对于需要长期稳定运行的工业或汽车电子应用，其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保了在严苛环境下的性能。

M93C76-WMN6T采用表面贴装型的8引脚SOIC封装，封装宽度为3.90mm，适合高密度PCB板布局。其接口设计简洁，主要包含片选（CS）、串行时钟（SCK）、数据输入（DI）和数据输出（DO）信号线，遵循行业通用的SPI通信协议，极大降低了软件驱动的开发复杂度。用户可以通过ST中国代理获取详细的技术支持、样片以及批量采购信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟稳定的性能使其在现有系统维护、备件供应或对成本敏感的设计中仍具参考价值。

在应用层面，这款8Kb容量的EEPROM非常适合用于存储系统配置参数、校准数据、用户设定或事件日志等小规模但关键的信息。常见场景包括工业控制模块、智能电表、汽车电子控制单元（ECU）、医疗设备以及消费类电子产品中的参数存储部分。其非易失特性与SPI接口的便捷性相结合，为需要频繁更新且确保数据安全的设计提供了一个经受过市场验证的存储解决方案。

• 型号:M93C76-WMN6T
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8，512 x 16
• 存储器接口:Microwire
• 时钟频率:2 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M93C76-WMN6T是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器。该芯片采用SPI接口，最高通信频率为2MHz，支持灵活的1K x 8位或512 x 16位存储结构，便于进行字节或字操作。

其核心优势在于宽范围单电压供电（2.5V-5.5V）和宽广的工作温度范围（-40°C至85°C），兼容性强，适应严苛环境。芯片提供页写与字节写功能，典型写入时间为5ms，并具备写保护机制，确保数据可靠性。器件采用8-SOIC表面贴装封装，适用于需要可靠存储配置参数、校准数据等关键信息的各类电子系统。