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M93S66-WBN6

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8DIP
原厂封装:封装:8-PDIP
优势价格,M93S66-WBN6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M93S66-WBN6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M93S66-WBN6是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的串行EEPROM存储器芯片,采用经典的8引脚DIP通孔封装。其核心基于成熟的EEPROM存储单元架构,内部组织为256 x 16位的阵列,总容量为4Kb。该芯片通过高效的SPI(串行外设接口)与主控制器进行通信,其同步串行接口设计简化了系统连接,仅需少数几根信号线即可实现数据的读写操作,有效节省了微控制器的I/O资源和PCB板空间。

该器件具备宽电压工作范围(2.5V至5.5V),使其能够灵活适配3.3V或5V的常见系统电源,增强了设计的兼容性。其工作频率最高可达2MHz,支持快速的数据传输。在数据可靠性方面,它提供了非易失性存储特性,确保在断电情况下数据不会丢失。典型的页写入或字节写入周期时间为5ms,并拥有高达百万次的擦写周期以及超过40年的数据保存期限,满足了工业级产品对数据持久性和可靠性的严苛要求。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,适用于各种环境条件下的应用。

芯片的接口遵循标准SPI协议,支持多种操作模式,包括字节读写、页读写以及写使能/禁止等指令集,方便开发者进行灵活控制。除了基本的存储功能,它还集成了写保护机制,通过特定的引脚或软件指令可以防止存储内容被意外篡改,提升了系统的安全性。对于需要稳定供应链支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关技术支持和产品信息。

凭借其稳定可靠的性能和通孔封装带来的坚固性,M93S66-WBN6非常适合于需要小容量参数存储、配置信息保存或数据记录功能的场景。典型应用包括工业控制系统(如PLC模块、传感器校准数据存储)、汽车电子(如仪表盘配置)、通信设备、智能电表以及一些采用DIP插槽设计的传统或需要高可靠性的嵌入式系统。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有系统的维护、备件生产或对长期供货有特殊要求的项目中,它仍然是一个值得考虑的选择。

  • 型号:M93S66-WBN6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-PDIP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:4Kb
  • 存储器组织:256 x 16
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:2 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:8-PDIP
  • 想获取M93S66-WBN6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M93S66-WBN6是ST意法半导体生产的一款4Kb容量串行EEPROM存储器,采用SPI接口,最高时钟频率2MHz。该芯片以256x16位的结构组织数据,提供可靠的非易失性存储解决方案。

其核心优势在于宽电压供电(2.5V-5.5V)宽广的工作温度范围(-40°C至85°C),确保了在严苛工业环境下的稳定性和设计灵活性。5ms的写周期时间、百万次擦写耐力及超过40年的数据保存期,共同构成了其高可靠性的基础。器件采用8引脚DIP通孔封装,适用于需要坚固物理连接和长期可靠性的应用场景。

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