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M95080-DRDW3TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M95080-DRDW3TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95080-DRDW3TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95080-DRDW3TP/K是ST意法半导体推出的一款面向汽车电子及工业控制领域的高可靠性串行EEPROM存储器。该器件采用成熟的EEPROM技术,构建于一个经过优化的1K x 8位存储阵列之上,提供总计8Kb的非易失性存储空间。其核心架构集成了高性能的SPI串行接口控制器和内部电荷泵,能够在单电源电压下完成编程操作,简化了外围电路设计。内部集成的写保护逻辑和状态寄存器,为数据安全与操作状态监控提供了硬件保障。

该芯片的功能特点突出表现在其宽电压范围与高运行速度上。其供电电压范围覆盖1.8V至5.5V,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种平台。配合高达20MHz的时钟频率,其SPI接口能够实现快速的数据读写,有效提升系统数据交换效率。在数据可靠性方面,器件提供了页写(最高16字节)和字节写两种模式,典型的写周期时间为4ms,并内置了写使能锁存和写保护引脚,防止误写操作。对于需要稳定供应链支持的客户,可以通过ST授权代理获取相关的技术支持和供货信息。

在接口与关键参数上,M95080-DRDW3TP/K采用标准的四线制SPI接口(CS, SCK, SI, SO),支持模式0和模式3,确保了与绝大多数微控制器的兼容性。其工作温度范围达到-40°C至125°C的工业及汽车级标准,并通过了AEC-Q100认证,满足严苛环境下的稳定运行需求。器件采用8引脚TSSOP表面贴装封装,支持卷带(TR)和剪切带(CT)包装,适用于自动化贴片生产。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和广泛的验证使其在存量项目或特定高可靠性设计中仍具参考价值。

基于其高可靠性、宽温工作和汽车级认证的特性,M95080-DRDW3TP/K非常适合于对数据存储有严苛要求的应用场景。典型应用包括汽车电子系统中的里程数据存储、空调控制单元参数、仪表盘配置信息以及事件记录器(EDR)。在工业领域,它可用于PLC模块的配置参数存储、传感器校准数据保存、以及需要断电记忆功能的工控设备。其宽电压特性也使其成为便携式医疗设备、智能仪表等电池供电系统中存储关键数据的理想选择。

  • 型号:M95080-DRDW3TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:20 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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M95080-DRDW3TP/K是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器,采用SPI接口,最高时钟频率可达20MHz。该器件提供1K x 8位的非易失性存储空间,支持字节和页写操作,典型写周期时间为4ms。

其核心优势在于宽广的1.8V至5.5V工作电压范围以及-40°C至125°C的扩展工作温度,并通过了AEC-Q100汽车级认证,确保了在恶劣环境下的高可靠性。器件采用8-TSSOP封装,适用于要求严苛的汽车电子和工业控制应用。

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