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M95080-WMN6T

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M95080-WMN6T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95080-WMN6T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95080-WMN6T是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的8Kb串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的EEPROM(电可擦可编程只读存储器)技术构建,其核心架构围绕一个1K x 8位的存储阵列组织,通过高效的SPI(串行外设接口)与主控制器进行通信。这种非易失性存储特性确保了在断电情况下数据依然能够被可靠保存,为系统关键参数的存储提供了坚实基础。

该芯片的功能特点突出体现在其高达20MHz的时钟频率,这赋予了它出色的数据传输速率,能够满足对实时性要求较高的应用场景。其工作电压范围宽达2.5V至5.5V,使其能够灵活适配3.3V或5V的常见系统电源,增强了设计的兼容性。在数据写入方面,芯片支持字节写入和页写入模式,典型的写周期时间为5ms,在保证数据可靠性的同时,提供了合理的操作效率。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在严苛的工业或汽车电子环境下的稳定运行。

在接口与参数层面,标准的SPI接口简化了与微控制器(MCU)的连接,仅需少数几根信号线(SI, SO, SCK, CS)即可完成所有读写操作,有效节省了系统宝贵的I/O资源。芯片采用8-SOIC表面贴装封装,封装宽度为3.90mm,适合空间紧凑的PCB布局设计。用户可以通过授权的ST代理商获取该产品的完整技术资料、样品及采购支持。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟稳定的性能使其在既有设计和特定备件需求中仍具参考价值。

基于其可靠的非易失存储、高速SPI接口和宽电压工作范围,M95080-WMN6T非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或事件日志的各类电子系统中。典型应用场景包括工业控制模块、汽车电子控制单元(ECU)、智能电表、网络设备以及各类消费电子产品,用于存储设备序列号、用户设置或运行状态信息,是构建稳健嵌入式系统存储子系统的经典选择之一。

  • 型号:M95080-WMN6T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:20 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M95080-WMN6T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M95080-WMN6T是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用1K x 8位的存储结构,通过标准SPI接口与主机通信,最高时钟频率可达20MHz,实现了高速数据读写。其宽电压供电范围(2.5V至5.5V)提供了出色的电源兼容性。

芯片具备非易失性存储特性,数据可长期保存。它支持字节和页写入操作,典型写周期时间为5ms,并在-40°C至85°C的工业级温度范围内保持稳定工作。产品采用8-SOIC表面贴装封装,适用于对板卡空间有要求的紧凑型设计,是存储系统配置、校准参数等关键信息的可靠解决方案。

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