M95256-DRMF3TG/K

M95256-DRMF3TG/K是ST意法半导体推出的一款面向严苛环境应用的高性能串行EEPROM存储器。该器件采用先进的非易失性存储技术构建，其核心架构基于一个经过优化的32K x 8位存储阵列，通过高效的串行外设接口（SPI）与主控制器进行通信。这种设计确保了在紧凑的封装内实现可靠的数据存储与快速访问，同时其内部集成的电荷泵电路支持在单电源电压下完成页编程和字节擦除操作，简化了系统电源设计。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压范围与高可靠性上。它支持1.8V至5.5V的宽工作电压范围，使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台。其最高20MHz的SPI时钟频率显著提升了数据传输速率，优化了系统响应时间。作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品，它具备卓越的耐久性与数据保持能力，典型条件下可支持高达400万次的写循环，数据保存期限超过40年。其4ms的典型页写入时间与高效的指令集，进一步平衡了写入速度与功耗。

在接口与关键参数方面，M95256-DRMF3TG/K提供了标准的SPI接口，支持模式0和模式3，并具备写保护（WP）和保持（HOLD）引脚，增强了数据安全性与总线灵活性。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C，完全满足汽车、工业等极端环境下的稳定运行需求。器件采用节省空间的8引脚MLP（8-WFDFN）表面贴装封装，适合高密度PCB布局。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

得益于其坚固耐用的特性，M95256-DRMF3TG/K非常适合应用于汽车电子领域，如车身控制模块、仪表盘、传感器数据记录以及事件数据记录器（EDR）。同时，在工业自动化、智能电表、医疗设备以及需要参数存储、配置信息保存或日志记录功能的各类消费电子和通信设备中，它也是一个理想的选择，为系统提供关键的非易失性数据存储解决方案。

• 型号:M95256-DRMF3TG/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-MLP（2x3）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 256KBIT SPI 5MHZ 8MLP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:256Kb
• 存储器组织:32K x 8
• 存储器接口:SPI
• 时钟频率:5 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-MLP（2x3）
• 想获取M95256-DRMF3TG/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M95256-DRMF3TG/K是ST意法半导体生产的一款256Kb串行EEPROM存储器，采用SPI接口，时钟频率最高可达20MHz。该器件以其32K x 8位的存储结构，提供了高效的非易失性数据存储能力。

其核心优势在于宽泛的1.8V至5.5V供电电压范围、-40°C至125°C的扩展工作温度以及符合AEC-Q100标准的汽车级可靠性。4ms的页写入时间与紧凑的8-WFDFN封装，使其成为对性能、耐用性和空间有严苛要求的汽车电子及工业应用的优选解决方案。