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M95512-DRMF3TG/K的图片

M95512-DRMF3TG/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 512KBIT SPI 16MHZ 8MLP
原厂封装:封装:8-MLP(2x3)
优势价格,M95512-DRMF3TG/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95512-DRMF3TG/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95512-DRMF3TG/K是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款面向汽车电子及工业应用的512Kb串行EEPROM存储器。该器件采用成熟的EEPROM技术,构建于一个高度可靠的存储单元阵列之上,其组织架构为64K x 8位,通过高效的串行外设接口(SPI)与主控制器进行通信。其设计充分考虑了数据完整性与系统鲁棒性,内置的写保护机制和状态寄存器允许用户灵活配置存储区的保护范围,确保关键参数在复杂电磁环境或异常电源条件下不被意外改写。

该芯片的核心优势在于其宽电压工作范围与卓越的耐用性。它支持1.8V至5.5V的单电源供电,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台,极大地简化了电源设计。其写周期时间低至4ms,并支持高达16MHz的SPI时钟频率,在保证数据可靠写入的同时,也提供了快速的数据吞吐能力,满足实时性要求较高的应用。作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品,它能够在-40°C至125°C的极端环境温度下稳定运行,并具备优异的抗干扰能力,这对于需要通过ST中国代理获取可靠元器件的本土汽车电子开发商而言至关重要。

在接口与电气参数方面,M95512-DRMF3TG/K提供了标准的SPI接口,支持模式0和模式3,具备Hold和Write Disable功能引脚,为多主设备系统或复杂通信流程管理提供了便利。其典型的待机电流和读写电流均处于极低水平,有助于延长电池供电设备的续航时间。器件采用节省空间的8引脚MLP(8-WFDFN)表面贴装封装,支持卷带(TR)和剪切带(CT)包装,适合自动化贴片生产。

凭借其高可靠性、宽温宽压特性以及符合汽车电子标准,这款EEPROM非常适合应用于需要非易失性存储关键数据的场景。典型应用包括汽车电子控制单元(ECU)中的参数存储、事件数据记录器(EDR)、智能传感器校准数据保存、车载信息娱乐系统的配置存储,以及工业自动化中的设备配置、生产数据追踪等。其稳健的设计使其成为在苛刻环境中确保数据长期保存的理想选择。

  • 型号:M95512-DRMF3TG/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-MLP(2x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 512KBIT SPI 16MHZ 8MLP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:512Kb
  • 存储器组织:64K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:16 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:8-MLP(2x3)
  • 想获取M95512-DRMF3TG/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M95512-DRMF3TG/K是ST意法半导体推出的一款512Kb(64K x 8)串行EEPROM存储器,属于其汽车级(Automotive, AEC-Q100)产品系列。该器件采用SPI接口,最高时钟频率可达16MHz,并支持1.8V至5.5V的宽电压供电范围,兼容性出色。

其核心特性包括高达125°C的工作温度、4ms的快速写周期时间以及非易失性数据存储,确保了在汽车及工业等严苛环境下的高可靠性与数据完整性。器件采用8-WFDFN表面贴装封装,提供卷带或剪切带包装,便于自动化生产。

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