M95640-DRMC6TG

M95640-DRMC6TG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用先进CMOS工艺制造的高性能串行EEPROM存储器。该器件采用非易失性存储技术，确保在断电情况下数据依然能够长期可靠保存。其核心架构基于一个经过优化的8K x 8位存储阵列，通过高效的电荷泵和精密电压调节电路，实现了在宽电压范围内的稳定读写操作，同时内部集成了完善的写保护逻辑和状态寄存器，为数据安全提供了硬件层面的保障。

该芯片的功能特点突出体现在其高速SPI接口与宽电压工作范围上。其串行外设接口（SPI）支持高达20MHz的时钟频率，能够实现快速的数据传输，显著提升系统响应速度。1.8V至5.5V的宽电压供电范围使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类应用平台，极大地增强了设计的灵活性。此外，器件具备页写操作能力，单页最多可连续写入32字节，配合仅5ms的典型写周期时间，提高了数据批量存储的效率。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供应的客户，可以通过授权的ST代理渠道获取相关技术支持和库存信息。

在接口与关键参数方面，M95640-DRMC6TG采用标准的四线制SPI接口（CS, SCK, SI, SO），支持模式0和模式3，便于与主流微处理器连接。其存储容量为64Kbit（8KB），组织为8K个字节单元。器件采用节省空间的8引脚MLP（UFDFN）表面贴装封装，非常适合空间受限的便携式或高密度PCB设计。内置的写保护引脚（WP）和软件写保护指令提供了多层级的数据保护机制，防止意外或恶意的数据篡改。

基于其高可靠性、宽电压适应性和紧凑的封装，M95640-DRMC6TG非常适合应用于需要参数存储、配置信息保存或事件日志记录的各种电子系统。典型应用场景包括工业自动化中的传感器校准数据存储、消费电子设备中的用户设置保存、通信模块的配置参数存储、以及汽车电子中的非关键数据记录等。其稳健的设计使其成为需要小型化、低功耗且数据存储需求稳定的应用的理想选择。

• 型号:M95640-DRMC6TG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-UFDFPN（2x3）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 64KBIT SPI 8UFDFPN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:64Kb
• 存储器组织:8K x 8
• 存储器接口:SPI
• 时钟频率:20 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-UFDFPN（2x3）
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M95640-DRMC6TG是ST意法半导体生产的一款64Kbit串行EEPROM存储器。该器件采用SPI接口，最高时钟频率可达20MHz，支持高速数据传输，其宽电压供电范围（1.8V至5.5V）使其能广泛适配各种电压域的数字系统。

芯片提供8KB（8K x 8）的非易失存储空间，采用页写模式，典型写周期时间为5ms。它采用8-UFDFN紧凑型封装，工作温度范围为-40°C至85°C，具备工业级可靠性，适用于对空间、功耗和可靠性有要求的嵌入式存储应用。