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M95M01-DFMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 1MBIT SPI 16MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M95M01-DFMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95M01-DFMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95M01-DFMN6TP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能串行EEPROM存储器芯片。该器件采用先进的非易失性存储技术构建,其核心架构基于经过市场验证的稳定存储单元设计,并集成了高性能的SPI串行接口控制器。这种架构确保了在宽电压范围内数据的可靠存储与快速读写,同时实现了极低的功耗,为需要持久化数据存储的应用提供了一个坚固而高效的基础。

该芯片提供了1Mb(128K x 8)的存储容量,组织为灵活的字节可寻址结构。其工作电压范围宽达1.7V至5.5V,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类设计,极大地提升了设计的灵活性和可移植性。通过其高速SPI接口,芯片支持时钟频率最高至16MHz,实现了快速的数据传输速率,有效减少了主控处理器的等待时间,提升了整体系统性能。此外,器件内置的写保护机制和唯一的64位电子序列号,为数据安全性和设备识别提供了硬件级的保障。

在接口与关键参数方面,M95M01-DFMN6TP采用标准的四线制SPI(串行外设接口)进行通信,支持模式0和模式3,兼容性广泛。其页编程操作和字节写操作均具备高效的时序管理,典型的页写周期时间为5ms。器件在-40°C至85°C的工业级温度范围内均能保证稳定的性能,满足严苛环境下的应用需求。其采用8引脚SOIC封装,属于表面贴装型,适合自动化贴装生产,供货形式包括卷带(TR)和剪切带(CT),方便不同规模的生产流程。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取正品器件和技术支持。

得益于其高可靠性、宽电压兼容性及工业级温度范围,M95M01-DFMN6TP非常适合应用于多种领域。它常见于需要存储配置参数、用户数据或事件日志的场合,例如工业自动化控制系统、智能电表、汽车电子模块、医疗设备以及消费类电子产品。其快速的访问速度和数据保持特性,也使其成为物联网终端节点、传感器网络和便携式设备中实现数据持久化存储的理想选择。

  • 型号:M95M01-DFMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 1MBIT SPI 16MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:1Mb
  • 存储器组织:128K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:16 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M95M01-DFMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M95M01-DFMN6TP是ST意法半导体生产的一款1Mb容量串行EEPROM存储器。该器件采用SPI接口,最高时钟频率可达16MHz,支持快速数据传输。其宽电压供电范围(1.7V至5.5V)使其能适配多种电源系统,增强了设计通用性。

芯片提供128K x 8位的非易失存储空间,确保数据在断电后不丢失。它具备工业级工作温度范围(-40°C至85°C)和5ms的典型写周期时间,保证了在苛刻环境下的可靠性和实时性。器件采用8-SOIC表面贴装封装,适用于高密度PCB板设计。

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