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M95M02-DRMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M95M02-DRMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95M02-DRMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95M02-DRMN6TP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用先进CMOS工艺制造的高密度串行EEPROM存储器芯片。其核心架构基于经过市场验证的稳定存储单元设计,内部集成了完整的存储阵列、地址解码器、高压生成电路以及串行外设接口(SPI)逻辑控制单元。这种高度集成的设计确保了在紧凑的8引脚SOIC封装内实现2Mb的大容量数据存储,同时通过内部电荷泵机制,使得芯片能够在单电源电压下完成可靠的擦写操作,无需外部提供高电压,极大地简化了系统设计。

该芯片的功能特点突出体现在其高性能与高可靠性上。它支持标准的SPI总线协议,最高时钟频率可达5MHz,能够实现快速的数据读写。其宽电压工作范围(1.8V至5.5V)使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类应用平台,提升了设计的灵活性。在数据保存方面,它承诺在-40°C至85°C的工业级温度范围内,数据保存期限长达40年,每个存储单元可承受至少400万次的写循环,满足了工业与汽车应用对数据持久性和耐用性的严苛要求。其页编程模式允许一次写入最多256字节,配合10ms的典型写周期时间,有效提升了批量数据更新的效率。

在接口与电气参数层面,M95M02-DRMN6TP提供了完整的SPI模式支持(模式0和模式3),并包含写保护(WP)和保持(HOLD)引脚,方便进行硬件数据保护和暂停传输操作。其低功耗特性显著,在待机模式下电流消耗仅为几微安,非常适合电池供电的便携式设备。表面贴装的8-SOIC封装形式符合主流的自动化生产要求,卷带(TR)和剪切带(CT)的包装选项也为不同规模的生产提供了便利。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于上述特性,M95M02-DRMN6TP非常适合应用于需要可靠存储配置参数、用户数据或事件日志的各类场景。典型应用包括工业自动化中的传感器数据记录、智能电表、医疗监测设备、汽车电子中的车身控制模块(BCM)、以及消费电子中的智能家电、物联网(IoT)终端设备等。其非易失性、高耐用性和宽温工作能力,使其成为在恶劣环境下保证数据完整性的理想选择。

  • 型号:M95M02-DRMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:2Mb
  • 存储器组织:256K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:5 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:10ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M95M02-DRMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M95M02-DRMN6TP是ST意法半导体生产的一款2Mb容量串行EEPROM存储器。该芯片采用SPI接口,支持高达5MHz的通信时钟频率,并具备1.8V至5.5V的宽电压供电范围,能够兼容多种逻辑电平的系统设计。

其核心优势在于高可靠性与工业级鲁棒性,数据保存期限长达40年,且每个存储单元可承受超过400万次擦写。芯片工作温度范围为-40°C至85°C,采用8-SOIC表面贴装封装,适用于对数据持久性和环境适应性有严格要求的工业控制、汽车电子及物联网设备。

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