MJD31C

MJD31C是ST意法半导体推出的一款采用表面贴装封装的高性能NPN双极性晶体管。该器件采用成熟的平面工艺制造，其核心架构基于硅基NPN结构，通过优化的掺杂和几何设计，在集电极-发射极之间实现了高达100V的击穿电压，同时确保了在高达3A集电极电流下的稳定工作能力。其内部结构设计注重降低饱和压降和热阻，为功率开关和线性放大应用提供了坚实的物理基础。

该晶体管的一个显著特点是其高电压与电流处理能力的结合，使其能够胜任中功率等级的电路任务。在饱和状态下，当基极电流为375mA、集电极电流达到3A时，其集电极-发射极饱和压降最大仅为1.2V，这意味着在导通状态下的功耗较低，有助于提升整体系统效率。其直流电流增益（hFE）在3A、4V条件下最小值为10，提供了足够的电流驱动能力。此外，其集电极截止电流最大值为50A，体现了良好的关断特性。最大功耗为15W，结合TO-252-3（DPak）封装优良的散热特性，使其能够通过PCB板有效散热，维持稳定的工作状态。

在接口与参数方面，MJD31C采用标准的TO-252-3表面贴装封装，包含两个引脚和一个用于散热和电气连接的接片，兼容自动贴装工艺，便于大规模生产。其工作结温高达150°C，确保了在高温环境下的可靠性。虽然该产品目前已处于停产状态，但其技术规格在特定应用领域依然具有参考和替代价值。对于需要此类器件的设计，可以咨询专业的ST代理以获取库存或替代方案建议。

基于其100V/3A的耐压和载流能力，这款晶体管传统上适用于需要中功率开关或放大的场景。典型的应用包括开关电源中的初级侧开关、电机驱动电路中的预驱动器或小功率电机控制、电子镇流器以及音频放大器的输出级。其DPak封装使其非常适合空间受限但对散热有一定要求的消费电子和工业控制板卡设计。

• 型号:MJD31C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.2V @ 375mA，3A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:50A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:10 @ 3A，4V
• 功率 - 最大值:15 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
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MJD31C是ST意法半导体生产的一款NPN双极性晶体管，采用表面贴装TO-252-3（DPak）封装。其核心电气参数包括100V的集射极击穿电压和3A的最大集电极电流，构成了其中功率处理能力的基础。

该器件在3A集电极电流下的最小直流电流增益为10，并在375mA基极电流驱动下，饱和压降最大仅为1.2V，这有利于降低导通损耗。其最大功耗为15W，结合封装良好的热性能，支持在高达150°C的结温下稳定工作，适用于开关和线性放大应用。