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MJD361T4-A

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 60V 3A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,MJD361T4-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MJD361T4-A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

MJD361T4-A是一款由ST意法半导体设计生产的表面贴装型PNP双极性功率晶体管。该器件采用经典的TO-252-3(DPak)封装,其结构紧凑,热性能优良,接片设计便于散热器安装,有效提升了功率处理能力。其核心架构基于成熟的硅基工艺,确保了在高达150°C的结温下仍能稳定工作,为设计提供了宽裕的热安全余量。

该晶体管具备60V的集电极-发射极击穿电压3A的连续集电极电流处理能力,使其能够胜任中高功率的开关与线性放大应用。其饱和压降典型值较低,在3A集电极电流和150mA基极电流条件下,VCE(sat)最大仅为900mV,这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗,有助于提升系统整体效率。同时,器件在1A电流和4V电压下的直流电流增益(hFE)最小值为60,提供了良好的电流驱动能力,简化了前级驱动电路的设计。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过授权的ST代理商进行采购咨询。

在电气参数方面,15W的最大功耗标明了其功率等级,而集电极截止电流(ICBO)最大为20A,体现了器件在关断状态下的良好隔离特性。其表面贴装形式(SMD)兼容自动化回流焊工艺,适合现代高效率的PCB组装生产线。虽然该产品系列目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在现有系统的维护或特定设计中仍具参考价值。

基于其电压、电流和功率特性,MJD361T4-A非常适合应用于需要PNP型功率器件的场合,例如电源电路中的线性稳压器、低压差稳压器(LDO)的调整管、电机驱动中的H桥下臂开关,以及各类通用开关和放大电路。其稳健的封装和宽工作温度范围也使其能够应对工业控制、汽车电子辅助系统(在温度规格允许范围内)及消费类电子产品中相对严苛的环境。

  • 型号:MJD361T4-A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 60V 3A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):900mV @ 150mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):20A(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 1A,4V
  • 功率 - 最大值:15 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 想获取MJD361T4-A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

MJD361T4-A是ST意法半导体推出的一款采用DPak(TO-252)封装的PNP功率双极性晶体管。该器件核心规格包括60V的集电极-发射极击穿电压和3A的连续集电极电流能力,最大功耗为15W。

其关键电气特性表现为较低的饱和压降(VCE(sat)最大900mV @ 3A, 150mA),有助于减少导通损耗,以及最小60@1A的直流电流增益,确保了有效的电流驱动。器件结温最高可支持至150°C,采用表面贴装形式,适用于空间受限且要求一定功率处理能力的开关与线性放大电路设计。

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