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MJE3055T

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 60V 10A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,MJE3055T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MJE3055T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

MJE3055T是ST意法半导体推出的一款高性能NPN功率双极结型晶体管(BJT),采用经典的TO-220-3通孔封装,专为高电流、中功率开关和线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的硅外延平面工艺,确保了器件在宽泛的工作条件下具备出色的稳定性和可靠性。该晶体管内部结构经过优化,旨在实现较低的饱和压降和较高的电流处理能力,其集电极-发射极击穿电压高达60V,最大集电极连续电流可达10A,使其能够从容应对工业控制、电源管理等场景中的瞬态冲击和持续负载。

在功能特性方面,MJE3055T展现了卓越的电气性能。其饱和压降(VCE(sat))在3.3A基极电流和10A集电极电流条件下典型值仅为8V,这意味着在开关应用中,导通状态下的功率损耗被有效控制,有助于提升系统整体效率。器件的最小直流电流增益(hFE)在4A集电极电流和4V集电极-发射极电压下为20,提供了足够的电流驱动能力。此外,其集电极截止电流低至700A,有助于降低待机功耗。高达75W的最大功耗和150°C的最高结温,赋予了它强大的热管理潜力和在恶劣环境下稳定工作的能力,其2MHz的跃迁频率也使其能够胜任一定频率范围内的开关操作。

从接口与参数角度看,MJE3055T的标准TO-220封装便于安装散热器,是其能够处理高功率的关键。其引脚排列(发射极、基极、集电极)符合行业通用标准,方便工程师进行电路板布局和焊接。关键参数如60V的VCEO、10A的IC以及75W的PD构成了其坚固的电气边界。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购,以确保获得原装正品和完整的供应链服务。这些参数共同定义了一个适用于要求严苛环境的稳健功率开关解决方案。

基于其性能特点,MJE3055T广泛应用于各类中功率电子设备中。它是线性稳压电源、音频功率放大器输出级以及电机驱动电路(如直流电机或步进电机的H桥驱动)中的理想选择。在开关电源的初级侧或次级侧,它可用于构建高效的功率开关。此外,在继电器驱动、电磁阀控制、照明镇流器以及通用工业控制板的功率接口部分,也经常能看到它的身影。其坚固耐用的特性使其成为工程师在需要可靠、低成本、高电流处理能力的功率控制设计时的经典之选。

  • 型号:MJE3055T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 60V 10A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):8V @ 3.3A,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):700A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大值:75 W
  • 频率 - 跃迁:2MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
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MJE3055T是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极晶体管,采用TO-220封装。其核心卖点在于高达10A的集电极电流和60V的集射极击穿电压,能够处理中高功率负载,同时最大功耗75W和150°C的结温确保了良好的热性能。

该器件在开关应用中表现突出,其饱和压降较低(典型8V @ 3.3A, 10A),有助于减少导通损耗。最小直流电流增益为20 @ 4A, 4V,提供了稳定的驱动能力。这些参数使其成为电源转换、电机驱动和线性放大等电路中可靠且高效的功率开关解决方案。

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