MMBT3904

MMBT3904是一款由ST意法半导体（STMicroelectronics）生产的通用型NPN双极性结型晶体管（BJT），采用紧凑的SOT-23表面贴装封装。该器件基于成熟的硅平面工艺制造，其核心架构由一个N型掺杂的集电区、一个P型掺杂的基区和一个N型掺杂的发射区构成，形成两个背靠背的PN结。这种结构决定了其电流放大特性，即通过微小的基极电流可以控制较大的集电极电流，使其成为模拟和数字电路中信号放大与开关控制的理想选择。

该晶体管具备多项突出的功能特性。其集电极-发射极击穿电压高达40V，集电极连续电流处理能力为200mA，这使其能够在多种低压至中压应用场景中稳定工作。其饱和压降特性优异，在Ic=50mA, Ib=5mA条件下，Vce(sat)典型值仅为200mV，这意味着在开关应用中，它能有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。同时，其直流电流增益（hFE）在10mA, 1V条件下最小值达到100，确保了良好的电流放大线性度。高达270MHz的过渡频率（fT）使其能够胜任中频信号放大任务，而350mW的最大功耗和高达150°C的结温（TJ）则提供了可靠的热性能边界。

在接口与参数方面，MMBT3904采用标准的三引脚SOT-23封装（也称为TO-236-3或SC-59），引脚排列通常为发射极（1脚）、基极（2脚）、集电极（3脚），便于在紧凑的PCB空间内进行布局设计。其参数组合定义了一个性能均衡的通用型晶体管：适中的电压电流容量、较低的饱和压降、良好的增益和频率响应。尽管该器件目前已处于停产状态，但其设计经典、性能可靠，在市场上仍有广泛的库存和应用基础，用户可通过正规的ST一级代理渠道获取原装正品，以确保设计的一致性与长期可靠性。

得益于其均衡的性能参数，MMBT3904在电子设计中应用场景广泛。它常被用于各类消费电子产品、工业控制模块及通信设备中，作为小信号放大器、音频前置放大级、中频放大级或驱动级。在开关应用方面，它适用于驱动继电器、LED、小型电机等负载，或作为数字逻辑电路的接口缓冲器。其SMT封装也完全适应现代自动化贴装生产流程，是工程师在需要通用、可靠、经济的NPN晶体管解决方案时的经典选择之一。

• 型号:MMBT3904
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:40 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:200mV @ 5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 10mA，1V
• 功率 - 最大值:350 mW
• 频率 - 跃迁:270MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
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MMBT3904是ST意法半导体推出的一款通用NPN双极性晶体管，采用SOT-23表面贴装封装。该器件集电极-发射极耐压达40V，连续集电极电流为200mA，饱和压降低至200mV（@50mA），具备良好的开关特性与较低的导通损耗。

其直流电流增益（hFE）最小值为100（@10mA, 1V），过渡频率为270MHz，支持中频范围内的信号放大应用。最大功耗为350mW，结温可达150°C，确保了在多种环境下的稳定工作能力。这款晶体管以其均衡的电压、电流、增益和频率参数组合，为广泛的放大与开关电路提供了一个经典且可靠的解决方案。