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P6KE6V8ARL

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 5.8VWM 13.4V DO204AC
原厂封装:封装:DO-204AC(DO-15)
优势价格,P6KE6V8ARL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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P6KE6V8ARL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

P6KE6V8ARL是意法半导体(STMicroelectronics)旗下P6KE系列TRANSIL产品线中的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的DO-15(DO-204AC)轴向封装。该器件基于成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构,旨在为电子线路中的敏感元器件提供快速、可靠的过电压防护。其设计核心在于利用半导体PN结在特定反向电压下的雪崩效应,当线路中出现的瞬态浪涌电压超过其击穿阈值时,器件能在皮秒级时间内迅速从高阻态转为低阻态,将异常电压钳位在一个安全的水平,并将过量的电流泄放到地,从而保护后续电路。

该器件具备多项突出的电气特性。其标称反向关断电压为5.8V,最小击穿电压为6.45V,这使其非常适合用于保护工作电压在5V左右的逻辑电路和接口。在承受标准8/20s雷击测试波形或10/1000s浪涌波形时,它能吸收高达298A的峰值脉冲电流,并将钳位电压有效限制在13.4V以下,其峰值脉冲功率处理能力达到600W,展现了强大的瞬态能量吸收和电压钳位能力。值得注意的是,其结电容在1MHz频率下典型值为4000pF,这一特性使其更适合应用于对信号完整性要求相对宽松的电源线路或低频数据线保护,而非高速数据总线。

从接口与参数角度看,P6KE6V8ARL是一款单向保护器件,这意味着它仅对一种极性的过电压(通常为正向)提供保护,在电路设计时需要明确其安装方向以对应预期的浪涌极性。其采用通孔安装的轴向封装,便于在PCB板上进行可靠的焊接和固定,具有良好的机械强度和散热性能。尽管该器件状态已标注为“停产”,意味着ST已不再进行新品生产,但其成熟的设计和广泛的历史应用记录,使其在库存市场和特定延续性项目中仍具参考价值。对于需要寻找替代方案或获取库存的客户,可以咨询专业的ST中国代理以获取相关支持。

在应用场景方面,凭借其通用型的保护定位和稳健的性能,P6KE6V8ARL历史上被广泛部署于各类需要过压保护的电子设备中。典型应用包括交流/直流电源适配器的次级侧输出保护、车载电子设备的电源输入端口防护、工业控制设备的I/O接口,以及消费类电子产品中易受静电放电(ESD)或感应雷击浪涌影响的电路节点。它为设计工程师提供了一种经过验证的、经济有效的解决方案,用于提升系统在恶劣电磁环境下的可靠性与鲁棒性。

  • 型号:P6KE6V8ARL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-204AC(DO-15)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5.8VWM 13.4V DO204AC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):5.8V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.45V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):13.4V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):298A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:4000pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向
  • 供应商器件封装:DO-204AC(DO-15)
  • 想获取P6KE6V8ARL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

P6KE6V8ARL是STMicroelectronics推出的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,隶属于经典的P6KE系列。该器件采用DO-15轴向封装,核心功能是为5V左右工作电压的电路提供高效的过电压保护。

其技术参数定义了关键性能:标称反向关断电压5.8V,最小击穿电压6.45V,能有效响应瞬态过压。在承受高达298A(8/20s)的峰值脉冲电流时,其最大钳位电压仅为13.4V,峰值脉冲功率处理能力达600W,确保了强大的浪涌抑制和可靠的电压钳位。其4000pF @ 1MHz的结电容特性,使其主要适用于电源线路及低频信号线的保护应用。

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