PD20010TR-E

PD20010TR-E是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道射频功率LDMOS晶体管，采用先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）工艺技术制造。该器件专为在高达2GHz的射频频率下提供高效率、高线性度的功率放大而设计，其核心架构优化了功率密度与热管理性能。PowerSO-10RF封装集成了裸露的底部焊盘，显著提升了散热效率，确保器件在连续高功率输出下的长期可靠性，这对于射频功率应用至关重要。

该晶体管在13.6V的典型工作电压下，能够提供高达10W的射频输出功率，同时保持11dB的功率增益，这使其在有限的供电条件下也能实现有效的信号放大。其额定漏源电压为40V，最大连续漏极电流为5A，提供了宽裕的工作电压裕量和电流处理能力。高功率增益与良好的热性能相结合，使得PD20010TR-E在降低前级驱动要求的同时，能稳定工作在要求苛刻的环境中。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

在接口与关键参数方面，器件在150mA的测试电流条件下进行特性标定，确保了参数的一致性。其封装形式为PowerSO-10RF，带有两条成形引线，便于PCB板上的安装与焊接，裸露的焊盘设计要求与PCB接地层进行良好的热连接，以最大化散热效果。虽然其噪声系数参数未在标准规格中明确列出，但其LDMOS结构本身在功率放大区通常能提供优异的线性度，这对于抑制互调失真、提升通信质量非常重要。

基于其性能特点，PD20010TR-E非常适用于对输出功率、效率和线性度有较高要求的射频前端电路。典型的应用场景包括专业移动无线电（PMR）、甚高频/超高频（VHF/UHF）基站功率放大器、射频能量传输系统以及工业、科学和医疗（ISM）频段内的各类射频发射设备。其稳健的设计使其能够在这些应用的功率放大级中作为核心驱动或末级放大元件，提供可靠且高效的功率解决方案。

• 型号:PD20010TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD20010TR-E是ST意法半导体生产的一款有源N沟道射频功率LDMOS晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件采用PowerSO-10RF封装，具备裸露底部焊盘，优化了热管理性能。

其核心电气特性包括：在2GHz频率下可实现10W的射频功率输出，并提供11dB的功率增益，工作于13.6V典型电压。器件额定电压为40V，连续漏极电流为5A，在150mA测试电流下进行特性表征。这些参数共同定义了其在射频功率放大应用中的高效率和可靠性。