PD57018TR-E

PD57018TR-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能射频功率晶体管，采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺技术制造。该器件专为在945MHz频段附近提供高功率、高效率的射频放大而设计，其核心架构优化了功率密度与线性度，能够在紧凑的封装内实现卓越的射频性能，满足现代通信系统对功率放大器模块在效率、可靠性和热管理方面的严苛要求。

该晶体管具备多项突出的功能特性。其工作频率精准定位于945MHz，输出功率高达18W，同时提供16.5dB的典型功率增益，这显著降低了驱动级的设计复杂度与成本。器件在28V的典型工作电压下，额定漏极电流可达2.5A，展现了强大的电流处理能力。其65V的高额定击穿电压确保了在负载失配等恶劣工况下具备出色的鲁棒性和可靠性，为系统长期稳定运行提供了保障。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在接口与参数方面，PD57018TR-E采用PowerSO-10RF封装，该封装集成了裸露的底部金属焊盘，极大地优化了散热路径，能够将晶体管工作时产生的热量高效地传导至PCB和外部散热器，从而在满功率输出条件下维持较低的结温。封装设计包含两条成形引线，有助于提升机械强度并简化PCB装配工艺。其测试条件（如100mA测试电流）为工程师评估器件在特定偏置点下的性能提供了明确参考。

基于其高功率、高增益和优异的散热特性，PD57018TR-E非常适合于要求苛刻的射频功率放大应用场景。典型应用包括专业移动无线电（PMR）、陆地移动无线电基站的中功率放大级、微波链路以及其他工作在UHF频段附近的固定无线接入设备。它在这些系统中能够作为核心放大元件，有效提升信号覆盖范围与传输质量，是构建高效、紧凑型射频前端解决方案的理想选择。

• 型号:PD57018TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:18W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD57018TR-E是ST意法半导体生产的一款有源LDMOS射频功率晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件设计用于945MHz频段，在28V工作电压下可提供高达18W的射频输出功率，典型增益为16.5dB，具备强大的信号放大能力。

其2.5A的额定电流和65V的高额定电压确保了器件在处理高功率信号时的可靠性与耐用性。采用带裸露底盘的PowerSO-10RF封装，该设计显著优化了热性能，适用于需要高效散热的中高功率射频应用场景。