PD57045S-E

PD57045S-E是ST意法半导体推出的一款高性能射频功率晶体管，专为工作在945MHz频段附近的高功率、高效率应用而设计。该器件采用先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）工艺技术构建，这一架构在射频功率领域以其出色的功率密度、线性度和可靠性而著称。其设计核心在于优化了源极、栅极和漏极的结构，能够在高电压（额定65V）下稳定工作，同时实现优异的功率增益和输出能力，为射频功率放大级提供了坚实的物理基础。

在功能表现上，该晶体管在28V测试电压和250mA测试电流的典型工作点下，能够提供高达45W的射频输出功率，并保持14.5dB的功率增益，这显著降低了驱动级的设计复杂度和成本。其高额定电压（65V）特性增强了器件对负载失配等恶劣工作条件的耐受性，提升了系统的整体鲁棒性。尽管其噪声系数参数未在标准规格中明确标注，这暗示其核心定位在于功率放大而非低噪声接收前端，其性能完全聚焦于高效率、高线性的功率发射任务。

该器件采用PowerSO-10封装，并带有裸露的底部焊盘。这种封装形式不仅提供了紧凑的占板面积，其裸露焊盘设计更有利于将晶体管工作时产生的大量热量高效地传导至PCB及外部散热器，是确保器件在满功率状态下长期稳定运行的关键。其电气参数，包括5A的额定电流能力，共同定义了一个适用于苛刻环境的射频功率解决方案。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其技术特性，PD57045S-E非常适合于要求严苛的专业无线通信基础设施领域，例如945MHz频段的UHF射频功率放大器。典型应用场景包括专用移动无线电（PMR）、基站功放末级、以及其他需要中等频率下高功率输出的固定或移动广播系统。尽管该产品目前已处于停产状态，但对于现有系统的维护、备件供应或特定传统设计的延续生产，它仍然是一个经过验证的高性能选择。

• 型号:PD57045S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:45W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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PD57045S-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，采用PowerSO-10封装。该器件在945MHz工作频率下，于28V工作电压时能提供高达45W的输出功率，并具备14.5dB的优异功率增益，显著简化了前级驱动电路的设计。

其65V的高额定电压确保了良好的耐压余量和系统可靠性，适用于高要求的射频功率放大场景。该晶体管主要面向专业通信设备中的功率放大级应用，是构建稳定、高效射频发射链路的关键元件。