PD57045TR-E

PD57045TR-E是ST意法半导体推出的一款高性能射频功率晶体管，采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺技术制造。该器件专为在945MHz频段附近的高功率、高效率射频放大应用而优化设计，其核心架构基于成熟的LDMOS技术平台，提供了出色的功率密度、线性度和可靠性。LDMOS结构使其能够在高电压下稳定工作，同时保持良好的增益特性，为基站、广播等严苛的射频环境提供了坚实的硬件基础。

该芯片的功能特点突出体现在其高功率处理能力与宽工作电压范围上。其额定输出功率高达45W，在28V的典型工作电压下，能够提供14.5dB的功率增益，确保了信号放大的高效性。其高达65V的击穿电压额定值赋予了它极强的过压承受能力和工作余量，提升了系统在电压波动情况下的稳定性与鲁棒性。此外，器件在250mA的测试电流条件下进行特性标定，确保了参数的一致性，而5A的额定电流能力则保证了其在大动态范围信号下的驱动潜力。

在接口与物理参数方面，PD57045TR-E采用了PowerSO-10RF封装。这种封装形式集成了裸露的底部焊盘和两条成形引线，不仅优化了射频性能，还极大地提升了散热效率。裸露的焊盘设计便于直接焊接在PCB的散热铜箔上，将芯片工作时产生的热量快速导出，这对于处理平均功率和峰值功率都较高的射频应用至关重要。良好的热管理直接关联到器件的长期可靠性和性能稳定性，这也是选择射频功率器件时需要考量的关键因素之一。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其技术规格，PD57045TR-E非常适合应用于对输出功率、线性度和效率有严格要求的射频功率放大场景。典型应用包括UHF频段的陆地移动无线电（LMR）基站功率放大器、专业移动无线电（PMR）系统、以及工作在900MHz频段附近的无线基础设施，如小型蜂窝基站或中继器的末级放大。其坚固的设计和高电压额定值也使其能够胜任某些工业、科学和医疗（ISM）频段设备中的功率放大任务，为系统集成商提供了一个性能卓越、可靠性高的射频解决方案。

• 制造商产品型号：PD57045TR-E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：FET RF 65V 945MHZ POWERSO-10RF
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：945MHz
• 增益：14.5dB
• 电压-测试：28V
• 额定电流（安培）：5A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：250mA
• 功率-输出：45W
• 电压-额定：65V
• 封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
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PD57045TR-E是ST意法半导体生产的一款有源LDMOS射频功率场效应晶体管（FET），属于晶体管-FET， MOSFET - 射频系列。该器件核心设计用于945MHz频率下的高效功率放大，在28V工作电压下可提供高达45W的输出功率和14.5dB的增益，展现出强大的信号放大能力。

其技术优势在于高达65V的电压额定值与5A的额定电流，确保了在严苛工作条件下的高可靠性和充足的性能余量。器件采用专为射频功率优化的PowerSO-10RF封装，带有裸露底部焊盘，有效解决了高功率密度下的散热问题，适用于要求高功率输出和良好热管理的射频前端设计。