PD85006TR-E

PD85006TR-E是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款专为高频功率放大应用设计的LDMOS射频场效应晶体管。该器件采用先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）工艺技术构建，这种架构在单芯片上实现了高击穿电压与优异射频性能的结合，特别适合在较高电压下工作以提升效率。其核心设计优化了栅极和漏极结构，有效降低了寄生电容和导通电阻，从而在指定的870MHz频点上实现了高增益与良好的线性度。

该晶体管的功能特性突出体现在其功率处理能力与工作稳定性上。它在13.6V的典型工作电压下，能够提供高达5W的射频输出功率，同时保持约17dB的功率增益，这显著降低了驱动级的设计复杂度。其额定工作电压高达40V，这为设计提供了充足的余量，增强了系统在电压波动环境下的可靠性。器件采用PowerSO-10RF封装，并带有裸露的底部焊盘，这种封装形式不仅提供了优异的散热路径，便于将芯片产生的热量高效传导至PCB和散热器，其两条成形引线的设计也优化了高频下的引线电感，有利于维持电路在高频段的性能。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在接口与关键参数方面，PD85006TR-E的测试条件明确，在200mA的测试电流下表征其性能，确保了参数的一致性。其2A的额定电流值表明了器件具备较强的电流处理能力。虽然噪声系数参数未在标准规格中明确列出，但其LDMOS架构本身在功率放大应用中通常能提供可接受的噪声表现。这些参数共同定义了一个高效、稳定的射频功率放大核心单元。

基于其技术规格，PD85006TR-E主要面向需要中等功率输出的固定频率或窄带射频发射链路。其典型应用场景包括工作在870MHz频段附近的专业移动无线电（PMR）、专用无线通信系统、以及某些工业加热或传感设备中的射频功率源。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和验证过的性能参数，使其在特定存量设备维护或生命周期较长的工业项目中，仍是一个经过考验的可靠选择。

• 型号:PD85006TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:2A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:5W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 想获取PD85006TR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

PD85006TR-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率场效应晶体管。该器件采用PowerSO-10RF封装，设计用于870MHz频段，在13.6V工作电压下可提供5W的输出功率和17dB的高增益，显著简化了功率放大器的前级驱动设计。

其核心优势在于40V的高额定电压和2A的额定电流，确保了在严苛工作条件下的高可靠性和鲁棒性。裸露焊盘的封装设计优化了热管理性能，使其成为专业无线通信、工业射频应用等中功率放大场景的经典解决方案。