PD85025TR-E

PD85025TR-E是ST意法半导体推出的一款面向高性能射频功率放大应用的LDMOS场效应晶体管。该器件采用先进的横向扩散金属氧化物半导体工艺，专为在870MHz频段附近提供高效率、高线性度的功率放大而优化设计。其核心架构基于成熟的LDMOS技术平台，在单芯片上实现了优异的功率处理能力与射频性能的平衡，内部结构针对热管理和阻抗匹配进行了专门优化，确保了在高功率输出下的长期可靠性和稳定性。

该芯片的功能特点突出，在13.6V的典型工作电压下，能够提供高达10W的射频输出功率，同时保持17.3dB的功率增益，这显著降低了前级驱动电路的设计复杂度与成本。其7A的额定电流能力和40V的额定电压为其提供了充足的功率余量，增强了系统在负载失配等非理想条件下的鲁棒性。此外，其设计兼顾了效率与线性度，适合应用于对信号质量要求严格的通信系统。

在接口与关键参数方面，PD85025TR-E采用PowerSO-10RF封装，该封装集成了裸露的底部焊盘和两条成形引线，不仅优化了射频性能，减少了寄生参数，还极大地提升了散热效率，便于将芯片产生的热量高效传导至PCB和外部散热器。其测试条件（如300mA测试电流）明确，参数一致性高，为工程师的电路设计与仿真提供了可靠依据。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

基于其优异的性能指标，PD85025TR-E非常适合应用于基站功率放大器、无线通信基础设施、专业移动无线电以及工业、科学和医疗频段的射频能量发射等场景。特别是在需要中等功率等级、高增益和高可靠性的870MHz频段应用中，该器件是一个经过市场验证的高性价比解决方案，能够帮助系统设计者有效提升发射链路的整体性能。

• 型号:PD85025TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17.3dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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PD85025TR-E是ST意法半导体生产的一款有源LDMOS射频功率场效应晶体管，属于晶体管-FET， MOSFET - 射频系列。该器件在870MHz频率下，于13.6V工作电压时，能提供高达10W的射频输出功率和17.3dB的功率增益，表现出强大的信号放大能力。

其核心优势在于高达7A的额定电流和40V的额定电压，确保了充沛的功率处理余量和系统可靠性。采用专为射频功率优化的PowerSO-10RF封装，带有裸露焊盘，有效兼顾了高频性能与散热需求，是基站、专业无线通信等基础设施中功率放大级的理想选择。