PWD5F60TR

PWD5F60TR是ST意法半导体推出的一款高性能、高密度半桥栅极驱动器，专为驱动功率MOSFET设计，适用于严苛的工业环境。该器件采用先进的功率MOSFET技术，集成在一个紧凑的46-PowerVFQFN封装内，实现了高功率密度与可靠性的平衡，其表面贴装形式便于自动化生产并优化PCB空间布局。

该芯片的核心架构围绕一个双通道半桥驱动器构建，每个通道能够独立提供高达3.5A的连续拉灌电流，峰值输出电流能力更可达14A，确保了在开关瞬间对功率MOSFET栅极电容的快速充放电，从而有效降低开关损耗并提升系统效率。其1.38欧姆的典型导通电阻有助于减少驱动器自身的功率耗散，提升整体能效。芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时，会强制关闭输出，防止功率管在欠压状态下工作而损坏，增强了系统的鲁棒性。

在接口与控制方面，PWD5F60TR采用标准逻辑电平接口，易于与微控制器或数字信号处理器连接，简化了系统设计。其工作电压范围覆盖10V至20V，为栅极驱动提供了灵活的供电选择。该器件具备宽泛的工作温度范围，结温（TJ）支持-40°C至125°C，确保在极端工业温度环境下稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过ST授权代理获取正品保障与技术支持。

基于其强大的驱动能力、内置保护特性和工业级可靠性，PWD5F60TR非常适合应用于电机驱动、开关电源、不间断电源（UPS）以及各类需要高效半桥或全桥拓扑的功率转换系统中，是提升工业设备功率密度和性能的理想选择。

• 型号:PWD5F60TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:46-VFQFPN（15x7）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 全半桥驱动器
• 描述:IC HALF BRIDGE DRV 3.5A 46VFQFPN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 输出配置:半桥（2）
• 应用:工业级
• 接口:逻辑
• 负载类型:电感
• 技术:功率 MOSFET
• 导通电阻（典型值）:1.38 欧姆
• 电流 - 输出/通道:3.5A
• 电流 - 峰值输出:14A
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 电压 - 负载:-
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 特性:-
• 故障保护:UVLO
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:46-PowerVQFN
• 供应商器件封装:46-VFQFPN（15x7）
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PWD5F60TR是ST意法半导体生产的一款工业级高密度半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC中的全、半桥驱动器产品系列。该器件采用功率MOSFET技术，设计用于驱动感性负载，其双通道半桥输出配置每通道可提供3.5A的连续输出电流，峰值驱动能力高达14A，并具备1.38欧姆的低典型导通电阻，有效优化了开关性能与功耗。

该芯片工作电压范围为10V至20V，集成了欠压锁定（UVLO）故障保护功能，增强了系统在电压异常情况下的安全性。其工业级设计确保了在-40°C至125°C的宽结温范围内可靠工作，并采用46-PowerVFQFN表面贴装封装，以卷带（TR）或剪切带（CT）形式提供，适用于高密度PCB布局和自动化贴装生产流程。