SCT10N120H

ST意法半导体推出的SCT10N120H是一款采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件基于成熟的SiC材料体系构建，其核心优势在于显著超越了传统硅基MOSFET的性能边界。SiC材料本身具备更高的临界击穿电场、更快的电子饱和漂移速度以及优异的热导率，这使得SCT10N120H能够在高电压、高频率及高温环境下实现更低的导通损耗和开关损耗，为功率转换系统带来了革命性的效率提升。

该器件集成了多项关键特性以优化系统性能。其1200V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级三相380V交流输入或光伏逆变器等应用中的高压母线需求。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）可达12A，展现了强大的电流处理能力。更值得关注的是其出色的动态特性，在20V栅极驱动电压下，栅极电荷（Qg）典型值仅为22nC，结合低至690mΩ（典型值，条件为6A，20V）的导通电阻（Rds(on)），共同确保了极低的开关损耗和导通损耗，这对于提升开关电源和逆变器的频率与效率至关重要。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，提供了良好的噪声抑制能力和与主流驱动IC的兼容性。

在接口与参数方面，SCT10N120H采用表面贴装型H2PAK-2封装，这种封装形式在提供优异散热性能的同时，也满足了自动化生产对高功率密度设计的需求。其最大允许栅源电压（Vgs）范围为-10V至+25V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。在400V偏压下，其输入电容（Ciss）最大值仅为290pF，进一步降低了驱动电路的负担。该器件最大结温（Tj）高达200°C，在壳温下最大功耗为150W，赋予了系统在恶劣热环境下的高可靠运行能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取详细的产品资料、样品以及本地化的设计服务。

凭借其高压、高效、高频和耐高温的特性，SCT10N120H非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它是太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、电动汽车车载充电机（OBC）以及服务器电源等高端电力电子设备的理想选择。在这些应用中，它能够有效减少系统体积和散热器尺寸，同时提升整体能效和可靠性，助力实现更绿色、更紧凑的能源转换解决方案。

• 型号:SCT10N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2Pak-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2Pak-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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SCT10N120H是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET），代表了高压功率开关技术的前沿。该器件核心参数包括1200V的漏源电压和12A的连续漏极电流，结合其基于SiC材料的先天优势，能够在高电压和高频开关条件下实现极低的导通与开关损耗。

其技术亮点在于优异的动态性能，典型栅极电荷（Qg）低至22nC，导通电阻（Rds(on)）在6A，20V条件下典型值为690mΩ，这直接转化为更高的系统效率和开关频率。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，支持高达200°C的结温工作，确保了在高功率密度应用中的可靠性和散热效能。