SCT20N120AG

意法半导体（STMicroelectronics）推出的SCT20N120AG是一款采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率开关器件。其核心架构基于ST成熟的SiCFET技术，该技术通过利用碳化硅材料的优异物理特性，在高压、高频和高效率应用场景中实现了对传统硅基MOSFET和IGBT的性能超越。器件采用HiP247封装，这是一种专为高功率密度和卓越热管理设计的通孔封装，确保了在严苛工况下的长期可靠性。

该器件具备多项显著的功能特点。其1200V的漏源击穿电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够从容应对工业级高压大电流应用。得益于SiC材料的低导通损耗特性，在10A电流和20V驱动电压条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至239毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为45nC，结合较低的输入电容（Ciss），意味着极快的开关速度和极低的开关损耗，这对于提升开关电源频率、减小无源元件体积至关重要。

在电气参数与接口方面，SCT20N120AG的栅极驱动电压范围宽泛且与标准电平兼容，最大正栅压为+25V，负栅压为-10V，便于设计可靠的驱动电路以防止误导通。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，提供了良好的噪声抑制能力。器件支持高达200°C的结温（TJ）工作，最大功率耗散为153W（Tc），展现了出色的高温运行能力和鲁棒性。该产品属于ST的汽车级（Automotive）产品系列，并通过了AEC-Q101认证，满足汽车电子对质量和可靠性的严苛要求。对于需要稳定货源和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其高性能与高可靠性，SCT20N120AG非常适合于要求高效率、高功率密度和高工作温度的各类应用场景。典型应用包括电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、服务器电源以及工业电机驱动等。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并帮助实现设备的小型化和轻量化设计。

• 型号:SCT20N120AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:239毫欧 @ 10A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:153W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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SCT20N120AG是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅（SiCFET）功率晶体管，采用HiP247通孔封装。该器件核心参数包括1200V漏源电压和20A连续漏极电流，其最大导通电阻低至239毫欧（@10A，20V），结合仅45nC的最大栅极电荷，共同确保了极低的传导与开关损耗，显著提升系统效率。

作为通过AEC-Q101认证的汽车级产品，它支持-55°C至200°C的宽结温范围工作，最大功率耗散达153W，具备卓越的高温可靠性和鲁棒性。这些特性使其成为电动汽车电驱系统、车载充电、高端工业电源及光伏逆变器等高压、高频、高效率应用的理想功率开关解决方案。