SCT50N120

SCT50N120是ST意法半导体推出的一款高性能N通道碳化硅场效应晶体管。该器件采用先进的SiCFET技术，在核心架构上实现了对传统硅基功率器件的显著超越。其基于宽禁带半导体材料碳化硅构建，使得器件能够在更高的结温、更高的开关频率以及更高的阻断电压下稳定工作，为高效率、高功率密度的电力电子系统设计提供了坚实的物理基础。

该器件集成了多项卓越的功能特性。1200V的漏源击穿电压与65A的连续漏极电流能力，使其能够从容应对工业级高功率应用中的严苛电压与电流应力。其导通电阻在40A电流、20V栅极驱动电压下典型值仅为69毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更低的工作温升和更高的系统效率。同时，得益于碳化硅材料的优异特性，其栅极电荷（Qg）典型值低至122nC，输入电容（Ciss）也得到有效控制，这共同带来了极低的开关损耗和极高的开关速度，允许系统工作在更高的频率，从而减小无源元件的体积和成本。

在接口与关键参数方面，SCT50N120采用了坚固的HiP247通孔封装，确保了优异的散热性能和机械可靠性，其最大功率耗散可达318W。器件支持高达+25V/-10V的栅源电压范围，标准的20V驱动电压使其易于与主流栅极驱动器兼容。其阈值电压Vgs(th)最大值为3V，提供了良好的噪声抑制能力。宽广的工作结温范围从-55°C延伸至200°C，保证了其在极端环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细资料、样品以及本地化服务。

凭借其高电压、大电流、低损耗及高工作温度的特性，SCT50N120非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的领域。其主要应用场景包括太阳能光伏逆变器、不间断电源、工业电机驱动、电动汽车车载充电机及直流快充桩、服务器电源等中高功率开关电源拓扑中。它能够有效提升系统整体能效，减少散热需求，实现设备的小型化和轻量化，是推动下一代绿色高效电能转换解决方案的关键元器件之一。

• 型号:SCT50N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 40A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:318W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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SCT50N120是ST意法半导体基于先进SiCFET技术开发的N通道功率晶体管。该器件核心优势在于其1200V/65A的高压大电流处理能力，结合碳化硅材料固有的低损耗特性，在69毫欧的低导通电阻与仅122nC的低栅极电荷共同作用下，实现了极低的导通与开关损耗。

器件采用HiP247通孔封装，最大功率耗散达318W，并支持-55°C至200°C的宽结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠性与散热效能。其设计兼顾高性能与易用性，标准的20V驱动电压便于系统集成。这些参数特性使其成为提升太阳能逆变器、工业驱动、电动汽车充电及高端服务器电源等系统效率与功率密度的理想选择。