SCTH35N65G2V-7

ST意法半导体推出的SCTH35N65G2V-7是一款采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率场效应晶体管（SiCFET）。该器件基于成熟的第三代SiC技术平台构建，其核心优势在于材料本身的优异特性。与传统硅基MOSFET相比，碳化硅材料具有更高的临界击穿电场、更宽的禁带宽度以及更高的热导率，这使得SCTH35N65G2V-7能够在高压、高频及高温环境下实现卓越的性能表现，为功率转换系统带来了革命性的效率与功率密度提升。

该器件集成了多项优化设计以充分发挥SiC材料的潜力。其极低的导通电阻（Rds(on)），在20A电流和20V驱动电压下典型值仅为67毫欧，显著降低了导通损耗。同时，得益于SiC技术，其反向恢复电荷（Qrr）几乎可以忽略不计，这极大地减少了开关过程中的损耗，尤其是在硬开关拓扑中。其栅极电荷（Qg）最大值仅为73nC，结合较低的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，使得系统能够在更高频率下稳定运行，从而允许使用更小、更轻的无源元件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

在电气参数方面，SCTH35N65G2V-7具备650V的漏源击穿电压（Vdss）和高达45A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力，提供了充足的电压和电流裕量。其栅极驱动电压范围宽泛，支持+22V至-10V，增强了抗干扰能力并便于设计。器件采用热增强型H2PAK-7表面贴装封装，该封装具有优异的散热性能和较低的寄生电感，有助于将结温（TJ）控制在-55°C至175°C的宽广工作范围内，并实现高达208W（Tc）的功率耗散能力，确保了在高功率应用中的长期可靠性。

凭借其高性能与高可靠性，SCTH35N65G2V-7非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用领域。它是服务器/数据中心电源、通信电源、工业电机驱动、光伏逆变器以及电动汽车车载充电机（OBC）等系统中功率级开关的理想选择。在这些应用中，该器件能够有效提升整机效率，减少系统体积和散热需求，助力实现更绿色、更紧凑的电力电子解决方案。

• 型号:SCTH35N65G2V-7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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SCTH35N65G2V-7是ST意法半导体推出的一款N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET），采用H2PAK-7封装。该器件基于先进的SiC技术，具备650V的漏源电压（Vdss）和45A的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其核心优势体现在卓越的开关性能与低损耗特性上。器件在20V驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值低至67毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为73nC，这共同实现了高效率与高频率运行能力。其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）与优化的封装设计，确保了在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。