SCTW35N65G2VAG

SCTW35N65G2VAG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率场效应晶体管（FET）。该器件基于成熟的SiCFET技术平台构建，其核心在于利用宽禁带半导体材料碳化硅的优异物理特性，实现了比传统硅基MOSFET更低的导通损耗、更高的开关频率和更优的高温工作稳定性。其内部结构经过优化设计，集成了低栅极电荷和低反向恢复电荷的特性，这直接转化为系统层面更高的效率和功率密度。

该器件具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达650V，能够从容应对工业及汽车应用中常见的母线电压波动与开关尖峰。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）可达45A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在20A电流和20V栅极驱动电压下典型值仅为67毫欧，这一低导通阻抗特性对于降低导通状态下的功率损耗至关重要。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至73nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关转换，显著降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件采用通孔安装的HiP247封装，这种封装形式提供了卓越的热性能和机械可靠性，其结壳热阻低，有助于将芯片产生的热量高效地传导至散热器。其栅极驱动电压范围宽，最大正向电压为+22V，反向电压为-10V，为驱动设计提供了灵活性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的抗干扰能力。其工作结温范围极宽，从-55°C延伸至200°C，完全满足汽车电子AEC-Q101标准的严苛要求，确保了在恶劣环境下的长期可靠运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关技术支持。

得益于其高耐压、大电流、高效率和高可靠性的特点，SCTW35N65G2VAG非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。在新能源汽车领域，它是车载充电机（OBC）、直流-直流变换器（DC-DC）以及主驱动逆变器中功率开关单元的优选方案。在工业领域，它可广泛应用于服务器电源、通信电源、光伏逆变器及不同断电源（UPS）等系统，帮助提升系统能效等级和功率密度。其符合汽车级标准，也使其成为推动汽车电气化与智能化进程中关键的动力总成和辅助电源系统的核心元器件。

• 型号:SCTW35N65G2VAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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SCTW35N65G2VAG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道SiCFET。该器件采用先进的碳化硅技术，提供了650V的漏源电压额定值和45A的连续漏极电流能力，专为高要求、高可靠性的应用而设计。

其核心优势在于极低的导通电阻（典型值67mΩ @ 20A, 20V）与栅极电荷（最大值73nC @ 20V），这共同确保了在高频开关条件下依然具备卓越的能效表现和低损耗特性。结合其宽工作结温范围（-55°C至200°C）以及坚固的HiP247通孔封装，使其成为新能源汽车电驱系统、车载充电及工业高密度电源等关键功率转换场景的理想选择。