SD1274-01

SD1274-01是ST意法半导体推出的一款NPN型射频双极结型晶体管，采用紧凑的表面贴装M113封装，专为高频功率放大应用而设计。其核心架构基于成熟的硅基工艺，优化了在高频工作条件下的载流子迁移特性，确保了在射频信号处理中具备良好的线性度和效率。

该器件在射频前端电路中表现出色，其集电极-发射极击穿电压最大值为16V，最大集电极电流可达8A，能够承受较高的瞬时功率。尤为突出的是，SD1274-01在典型工作条件下可提供10dB的功率增益，这使其在信号放大链路中能有效提升系统灵敏度与输出动态范围。其直流电流增益在250mA、5V条件下最小值为20，保证了在宽泛工作点上的稳定放大能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与库存信息。

在接口与参数方面，该晶体管设计最大功耗为70W，适合中高功率应用场景。表面贴装形式便于自动化生产，提升了系统集成度与可靠性。尽管其跃迁频率与噪声系数等详细高频参数未公开标注，但结合其10dB增益与70W功率处理能力，表明其在特定频段内能兼顾增益与输出功率的要求。

该器件典型应用于VHF/UHF频段的射频功率放大、驱动级放大以及线性放大电路，例如在专业通信设备、射频发射模块及某些工业感应系统中作为核心放大元件。其较强的电流驱动能力和功率处理特性，也使其适用于需要一定功率输出的信号调理前端。

• 型号:SD1274-01
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M113
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
• 描述:RF TRANS NPN 16V M113
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:16V
• 频率 - 跃迁:-
• 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:-
• 增益:10dB
• 功率 - 最大值:70W
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:20 @ 250mA，5V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8A
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:M113
• 供应商器件封装:M113
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SD1274-01是ST意法半导体生产的一款NPN射频功率晶体管，采用表面贴装M113封装。其核心特性包括16V的集射极击穿电压、8A的最大集电极电流以及高达70W的最大功耗处理能力，适合中高功率应用。

该器件在250mA、5V条件下提供最小20的直流电流增益，并具备10dB的典型功率增益，能够在射频放大链路中有效提升信号强度。这些参数使其成为VHF/UHF频段功率放大与驱动级的可靠选择。