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SD1405

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:RF TRANS NPN 18V M174
原厂封装:封装:M174
优势价格,SD1405的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SD1405的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SD1405是ST意法半导体推出的一款高性能NPN射频功率晶体管,采用先进的表面贴装M174封装,专为要求高功率密度和可靠性的射频应用而设计。该器件基于成熟的硅基双极结型晶体管(BJT)技术,其架构针对射频功率放大进行了深度优化,内部结构通过精密的版图设计和材料工艺,确保了在高频工作状态下优异的电流处理能力与热稳定性,结温(TJ)最高可承受200°C的严苛环境。

在功能表现上,该晶体管的核心优势在于其高达270W的集电极最大耗散功率20A的最大集电极电流能力,这使其能够驱动极高的射频输出功率。其直流电流增益(hFE)在5A、5V条件下最小值为20,提供了良好的电流驱动基础。尤为突出的是,器件在典型工作条件下可提供约13dB的功率增益,这显著降低了前级驱动电路的设计复杂度与成本,提升了系统整体效率。尽管其集射极击穿电压(BVCEO)最大值为18V,但这一规格与其高电流特性相结合,使其非常适合在较低的供电电压下实现大功率输出。

该芯片采用表面贴装型的M174封装,具有良好的散热路径和机械强度,便于自动化生产与高密度PCB布局。其接口定义清晰,主要引脚包括基极、发射极和集电极,其中集电极通常与散热片或PCB的铜箔区域直接连接以优化热管理。关键电气参数如高功率处理能力、13dB增益以及宽工作温度范围,共同定义了它在射频功率链中的核心地位。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的技术资料、样品以及应用指导。

SD1405主要面向对输出功率和可靠性有严格要求的射频应用场景。它常见于专业通信设备、工业射频加热系统、大功率线性放大器以及某些特定频段的广播发射机中。其高功率密度特性使其在基站功放末级、射频能量应用等领域成为关键组件,能够在紧凑的空间内实现稳定的大功率信号放大。尽管该产品目前已处于停产状态,但在许多现有系统和备件市场中,它依然因其卓越的性能表现而备受关注。

  • 型号:SD1405
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:M174
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 18V M174
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):18V
  • 频率 - 跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-
  • 增益:13dB
  • 功率 - 最大值:270W
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 5A,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A
  • 工作温度:200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:M174
  • 供应商器件封装:M174
  • 想获取SD1405的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SD1405是ST意法半导体生产的一款NPN射频功率晶体管,属于其晶体管-双极(BJT)-射频系列产品。该器件采用M174表面贴装封装,设计用于高要求的射频功率放大应用。

其核心性能参数包括高达270W的最大功耗和20A的最大集电极电流,确保了强大的功率处理能力。器件在5A、5V条件下提供最小20的直流电流增益(hFE),并在典型工作点提供约13dB的功率增益,有效简化了驱动级设计。其集射极击穿电压最大值为18V,最高结温可达200°C,展现了良好的电气鲁棒性与热稳定性。

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