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SD1488

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:RF TRANS NPN 16V M111
原厂封装:封装:M111
优势价格,SD1488的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SD1488的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SD1488是ST意法半导体推出的一款面向射频功率放大应用的高性能NPN双极结型晶体管。该器件采用先进的表面贴装M111封装,其核心架构针对高频信号下的功率处理进行了优化,内部结构设计旨在实现高效率的能量转换和稳定的信号放大。其集电极-发射极击穿电压最高可达16V,为电路提供了可靠的工作电压裕度,而高达8A的集电极电流处理能力则确保了其在大电流驱动场景下的坚固性。

在功能表现上,该晶体管在典型工作条件下能提供约5.8dB的功率增益,这对于提升射频链路的信号强度至关重要。其直流电流增益在1A、5V的测试条件下最小值为20,保证了良好的电流放大线性度。尤为突出的是,其最大耗散功率高达117W,结合200°C的最高结温,赋予了芯片出色的热稳定性和功率承载能力,使其能够在持续高负荷的工况下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关技术支持和库存信息。

在接口与参数层面,SD1488作为表面贴装器件,其M111封装形式便于现代自动化生产线的贴装,提高了生产效率和电路板的空间利用率。尽管其具体的跃迁频率和噪声系数参数未在标准规格书中明确标注,但其标称的增益和功率参数已明确指向中高功率的射频放大应用。其电气参数组合,包括电压、电流和功率处理能力,定义了一个适用于要求苛刻的射频环境的工作窗口。

考虑到其技术规格,SD1488非常适合应用于需要中功率放大的射频前端电路,例如在某些专业的通信设备、射频发射模块或工业感应加热系统中作为驱动级或末级功率放大元件。其高功率处理能力和良好的增益特性,使其能够在有限的板级空间内,为系统提供所需的信号放大功能,是工程师在设计和优化相关射频功率链路时值得考虑的一款经典器件。

  • 型号:SD1488
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:M111
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 16V M111
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):16V
  • 频率 - 跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):-
  • 增益:5.8dB
  • 功率 - 最大值:117W
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 1A,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
  • 工作温度:200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:M111
  • 供应商器件封装:M111
  • 想获取SD1488的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SD1488是STMicroelectronics生产的一款NPN射频功率晶体管,采用表面贴装M111封装。该器件的核心卖点在于其强大的功率处理能力,最大集电极电流达8A,最大耗散功率高达117W,并能在高达200°C的结温下工作,确保了在高负载应用中的可靠性与热稳定性。

其电气特性同样针对射频放大优化,提供约5.8dB的功率增益,并在1A、5V条件下具备最小20的直流电流增益,适用于需要良好线性度与信号放大的场景。16V的集射极击穿电压为设计提供了充足的电压裕度。综合来看,这是一款适用于中高功率射频放大电路的坚固型半导体解决方案。

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