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SM4T12AY

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 10VWM 21.7VC DO214AC
原厂封装:封装:DO-214AC(SMA)
优势价格,SM4T12AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SM4T12AY的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体TRANSIL系列中的一员,SM4T12AY是一款专为严苛环境设计的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管。其核心架构基于先进的齐纳二极管技术,采用经过优化的半导体结设计,能够在纳秒级时间内响应并吸收高能量的瞬态电压尖峰,从而为下游精密电路提供可靠的保护屏障。该器件内部集成了高性能的雪崩击穿结构,确保在过压事件发生时,电压能够被迅速且精确地钳位在安全水平。

该器件具备多项突出的功能特性。其10V的反向断态工作电压使其非常适合保护工作电压在5V或3.3V等低电压逻辑的电路。当遭遇瞬态冲击时,其击穿电压最小值低至11.1V,响应速度极快;在承受高达106A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,其最大钳位电压被严格控制在21.7V,展现了出色的浪涌抑制和电压钳位能力,峰值脉冲功率可达400W。这意味着它能有效抵御来自静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及雷击感应浪涌等多种威胁。其设计严格遵循AEC-Q101标准,并通过了相应的可靠性测试,确保在-55°C至150°C的极端结温范围内稳定工作,完全满足汽车电子应用对元器件耐久性和稳定性的苛刻要求。

在接口与参数方面,SM4T12AY采用标准的SMA(DO-214AC)表面贴装封装,便于自动化生产并节省电路板空间。其单向导通的特性要求在设计时需注意极性,确保在正常工作时处于反向偏置状态,以监测电路电压。关键参数如低漏电流、高浪涌承受能力与稳定的钳位电压,共同构成了其可靠保护的基石。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户,可以通过ST授权代理获取该产品,确保元器件的正宗来源与供货保障。

鉴于其高可靠性和汽车级品质,SM4T12AY的主要应用场景集中于汽车电子领域,例如用于保护车载网络(CAN、LIN总线)、信息娱乐系统端口、传感器接口、电源输入线路以及电池管理系统(BMS)中的敏感芯片。此外,它也适用于工业控制、通信设备中需要抵御浪涌和瞬态电压干扰的任何直流电源线或信号线保护场合,是提升系统电磁兼容性(EMC)和可靠性的关键组件。

  • 型号:SM4T12AY
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-214AC(SMA)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 10VWM 21.7VC DO214AC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):10V
  • 电压 - 击穿(最小值):11.1V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):21.7V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):106A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:400W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:-
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装:DO-214AC(SMA)
  • 想获取SM4T12AY的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SM4T12AY是ST意法半导体推出的一款汽车级、单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于TRANSIL系列并符合AEC-Q101标准。该器件设计用于在纳秒级时间内钳制危险的电压瞬变,为核心电路提供稳健的保护。

其核心参数包括10V的反向工作电压、11.1V的最小击穿电压以及面对106A大电流冲击时仅21.7V的最大钳位电压,峰值脉冲功率处理能力达400W。这些特性确保了其对高能量浪涌的有效抑制。器件采用SMA表面贴装封装,并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围,专为满足汽车电子及其他高可靠性应用的苛刻环境要求而设计。

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