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SMB15F6.0A的图片

SMB15F6.0A

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 6VWM 13.7VC SMBFLAT
原厂封装:封装:SMBflat
优势价格,SMB15F6.0A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SMB15F6.0A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SMB15F6.0A是意法半导体(STMicroelectronics)推出的SMB15F系列瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品。该器件采用先进的半导体工艺和优化的齐纳二极管结构,其核心设计旨在为6V工作电压的敏感电路提供高效、可靠的过压保护。其内部架构经过精心设计,能够在纳秒级时间内响应瞬态电压尖峰,通过雪崩击穿效应将过高的电压钳位在安全水平,从而保护后端负载免受损坏。

该器件具备一系列突出的功能特性。其峰值脉冲功率高达1500W(1.5kW),在8/20s的标准测试波形下,能够承受高达730A的峰值脉冲电流,展现出强大的浪涌能量吸收能力。其反向关断电压(VRWM)典型值为6V,最小击穿电压(VBR)为6.7V,确保在正常工作电压下呈现高阻态,对电路影响极小。当瞬态事件发生时,其最大钳位电压(VC)被严格限制在13.7V,为被保护电路提供了明确的安全裕度。其宽广的工作结温范围(-55°C至175°C)使其能够适应严苛的环境要求,确保在各种温度条件下性能稳定可靠。

在接口与参数方面,SMB15F6.0A采用单向通道设计,适用于直流或具有明确极性的电路保护。它采用表面贴装型(SMT)的DO-221AA(SMB Flat)封装,这种封装体积小巧,便于自动化生产,同时其直引线结构有助于优化PCB布局和散热。其通用型设计使其不局限于特定电源线路保护,而是可以灵活部署于多种需要过压防护的节点。对于需要批量采购和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取产品、数据手册以及应用设计指导。

基于其优异的性能参数,SMB15F6.0A广泛应用于各类电子系统中需要保护低压逻辑电路和接口的场合。典型应用场景包括但不限于:通信设备(如交换机、路由器)的I/O端口保护消费电子产品(如智能手机、平板电脑)的充电和数据接口防护汽车电子中的传感器与ECU模块保护,以及工业控制系统中PLC的输入/输出模块。其快速响应和高能量处理能力,使其成为防止静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)以及感应负载开关引起的浪涌等瞬态威胁的有效解决方案。

  • 型号:SMB15F6.0A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SMBflat
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 6VWM 13.7VC SMBFLAT
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):6V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值):6.7V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):13.7V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):730A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-221AA,SMB(直引线)
  • 供应商器件封装:SMBflat
  • 想获取SMB15F6.0A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SMB15F6.0A是ST意法半导体推出的一款高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于SMB15F产品系列。该器件采用单向齐纳结构,设计用于为6V工作电压的电路提供可靠的过压保护。

其核心参数表现卓越,具备高达1500W的峰值脉冲功率吸收能力,在8/20s波形下可承受730A的峰值脉冲电流。器件将最大钳位电压限制在13.7V,有效保护后端敏感元件。采用表面贴装的SMB(DO-221AA)封装,工作结温范围宽达-55°C至175°C,确保了其在各种严苛环境下的稳定性和通用适用性。

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