SMLVT3V3

作为一款采用先进半导体工艺制造的瞬态电压抑制二极管，SMLVT3V3隶属于意法半导体广受认可的SMLV系列TRANSIL产品线。其核心架构基于优化的齐纳二极管设计，通过精密的掺杂和结工艺，实现了快速响应与高能量吸收能力的平衡。该器件采用单向通道配置，专门用于保护下游电路免受正向瞬态过压事件的冲击，其内部PN结在承受高压脉冲时能迅速雪崩击穿，将电压箝位在安全水平，从而为敏感电子元件提供可靠的保护屏障。

在功能表现上，该器件展现了卓越的瞬态抑制能力。其标称反向断态电压为3.3V，最小击穿电压为4.1V，确保了在正常工作电压下的高阻抗状态。当遭遇浪涌时，它能将峰值脉冲电流高达200A（8/20s波形）的瞬态电压箝位在最大值10.3V以内，峰值脉冲功率处理能力达到600W，有效吸收了来自静电放电（ESD）、感性负载切换或雷击感应等事件的能量。其5200pF @ 1MHz的电容值，使其在保护高速数据线的应用中需要仔细评估信号完整性影响。宽广的结温工作范围（-25°C ~ 175°C TJ）和表面贴装（SMB/DO-214AA封装）形式，则保证了其在严苛工业环境下的可靠性与易于生产的特性。

从接口与参数角度看，3.3V的典型工作电压使其成为保护3.3V逻辑电平总线（如IC、SPI）和低电压模拟前端的理想选择。其箝位电压与峰值电流参数的组合，为设计者提供了清晰的保护窗口，便于进行系统级的浪涌耐受设计。用户可以通过ST中国代理获取详细的技术支持与样品，以优化其电路布局，最大限度地发挥该器件的保护性能并控制寄生参数的影响。

鉴于上述特性，SMLVT3V3非常适合部署在需要稳健保护的通用型电子设备中。典型应用场景包括消费电子产品（如智能手机、平板电脑的端口保护）、工业控制模块的I/O接口、通信设备的低压信号线以及汽车电子中的低压辅助系统。在这些场景中，它作为一道有效的防线，防止敏感的集成电路因意外的电压瞬变而损坏，从而提升整个系统的可靠性与使用寿命。

• 型号:SMLVT3V3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SMB
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 3.3VWM 10.3VC SMB
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:齐纳
• 单向通道:1
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:3.3V
• 电压 - 击穿（最小值）:4.1V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:10.3V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):200A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:600W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:5200pF @ 1MHz
• 工作温度:-25°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-214AA，SMB
• 供应商器件封装:SMB
• 想获取SMLVT3V3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SMLVT3V3是ST意法半导体推出的一款表面贴装瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于SMLV (TRANSIL)系列。该器件采用单向齐纳型设计，核心功能是为3.3V工作电压的电路提供高效的过压保护。

其技术参数体现了强大的瞬态能量处理能力：在200A（8/20s）的峰值脉冲电流冲击下，能将电压箝位在10.3V以下，峰值脉冲功率高达600W。结合其3.3V的反向断态电压、4.1V的最小击穿电压以及-25°C至175°C的宽结温工作范围，使其成为保护通用低压接口和信号线路，抵御ESD、EFT等瞬态干扰的可靠解决方案。