SMM4F28A-TR

ST意法半导体推出的SMM4F28A-TR是一款采用先进硅雪崩技术设计的单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，隶属于高性能的TRANSIL SMM4F系列。该器件采用紧凑的DO-216AA（SMA）表面贴装封装，其核心设计旨在为28V工作电压等级的线路提供高效、可靠的过压保护。其内部基于优化的齐纳结构，能够在纳秒级时间内响应瞬态电压尖峰，通过雪崩击穿机制将过电压钳位在安全水平，从而保护下游敏感的集成电路免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）及雷击感应浪涌等事件的损害。

该TVS二极管具备出色的电气特性。其反向断态电压为28V，确保在正常电路工作电压下呈现高阻抗状态，漏电流极低，对系统功耗影响微乎其微。当遭遇瞬态过压时，其击穿电压最小值为31.4V，响应速度极快。在承受高达39A（波形8/20s）的峰值脉冲电流冲击时，其钳位电压最大值被严格限制在59V，展现了强大的浪涌吸收和电压限制能力，其峰值脉冲功率处理能力达到400W。这种高浪涌电流处理能力和低钳位电压比的组合，意味着它能更有效地“吸收”能量，同时将施加在被保护器件上的过压降至最低，是优化系统可靠性的关键。此外，其结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性能。

在接口与参数层面，SMM4F28A-TR为单通道单向设计，适用于需要对正极性瞬态电压进行钳位的直流线路保护。其表面贴装形式便于自动化生产，提升装配效率。用户在选择时，可通过正规的ST代理渠道获取原装正品，以确保参数一致性与长期可靠性。该器件不专门针对特定电源线路保护进行优化，但其通用型设计使其应用非常灵活。

得益于其通用型设计和稳健的性能，SMM4F28A-TR非常适合部署于广泛的工业与消费电子应用场景。典型应用包括但不限于：28V左右的直流电源总线保护、通信端口（如RS-232/485）的浪涌防护、车载电子设备（符合相关浪涌标准）的输入保护，以及任何需要应对IEC 61000-4-2 (ESD)、IEC 61000-4-4 (EFT) 和IEC 61000-4-5 (浪涌) 等电磁兼容性测试的电路节点。它为设计工程师提供了一种经济高效且占用空间小的解决方案，用以提升终端产品的抗干扰能力和现场可靠性。

• 型号:SMM4F28A-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:STmite（DO-216AA）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 28VWM 59VC DO216AA
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:1
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:28V
• 电压 - 击穿（最小值）:31.4V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:59V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):39A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:400W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-216AA
• 供应商器件封装:STmite（DO-216AA）
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SMM4F28A-TR是ST意法半导体SMM4F系列中的一款单向TVS二极管，采用DO-216AA封装。其核心功能是为额定电压28V的线路提供瞬态过压保护，能将高达39A的峰值脉冲电流（8/20s）产生的过电压钳制在最大59V，峰值脉冲功率达400W，有效抵御浪涌和ESD冲击。

该器件具备宽工作结温范围（-55°C至175°C），确保在恶劣环境下稳定运行。其快速响应特性和低钳位电压比为后级敏感电路提供了可靠保障，适用于通用型的工业与消费电子电源及接口保护设计。