SPT02-236DDB

SPT02-236DDB是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SPT系列瞬态电压抑制（TVS）二极管产品，采用先进的半导体工艺和封装技术，专为在严苛环境下提供可靠的电路保护而设计。该器件基于齐纳二极管原理构建，其核心架构集成了两个单向保护通道，能够针对正向和负向的瞬态过压事件提供非对称的保护路径，这种设计在应对常见的由感性负载切换或静电放电（ESD）引起的单极性电压尖峰时尤为高效。

该TVS二极管的关键特性在于其卓越的钳位性能和快速的响应速度。其反向断态电压为36V（典型值），确保在正常工作电压下呈现高阻抗状态，对电路影响极小。当遭遇瞬态过压时，器件能迅速响应，在极短时间内（通常为皮秒级）从高阻态切换到低阻态，将威胁性的电压尖峰钳位在安全的46V（最大值）水平，从而有效保护下游敏感电子元件。其峰值脉冲功率处理能力高达1400W（1.4kW），配合2A（8/20s波形）的峰值脉冲电流能力，使其能够吸收并消散可观的瞬态能量，为电路提供坚固的防线。如需获取官方技术支持和原装产品，可通过ST授权代理进行采购。

在接口与参数方面，SPT02-236DDB采用紧凑的表面贴装型2-WDFN封装，非常适合高密度PCB布局。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了在工业、汽车及消费电子等各种环境温度下的稳定性和可靠性。该器件属于通用型保护方案，未集成特定的电源线路保护逻辑，这赋予了其设计灵活性，可广泛应用于需要过压保护的信号线、数据线及I/O端口。

得益于其稳健的性能和通用性，SPT02-236DDB非常适合部署在通信接口（如RS-232/485）、电源端口、传感器模块以及各类便携式设备的I/O保护电路中。其核心价值在于以极小的空间占用和电容负载，为36V左右工作电压的系统提供了一个高性价比、高可靠性的瞬态电压抑制解决方案，是工程师提升产品电磁兼容性（EMC）和系统鲁棒性的优选器件。

• 型号:SPT02-236DDB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:2-uQFN（3.3x1.5）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 36VWM 46VC 2UQFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:齐纳
• 单向通道:-
• 双向通道:1
• 电压 - 反向断态（典型值）:36V
• 电压 - 击穿（最小值）:38V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:46V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:1400W（1.4kW）
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:2-WDFN 焊盘
• 供应商器件封装:2-uQFN（3.3x1.5）
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SPT02-236DDB是ST意法半导体推出的一款采用2-WDFN封装的表面贴装TVS二极管。该器件专为通用电路保护设计，提供两个单向通道，其核心功能是在36V典型工作电压下保持高阻抗，并在遭遇瞬态过压时迅速动作，将电压钳位在最高46V的水平。

该器件具备强大的瞬态能量吸收能力，其峰值脉冲功率高达1400W，可承受2A（8/20s）的峰值脉冲电流，能有效抑制由ESD、EFT等引起的电压浪涌。其宽泛的工作结温范围（-40°C ~ 150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性，使其成为保护通信端口、数据线和低压电源轨等应用的理想选择。